本發明屬于微納米材料領域,本發明公開一種高容量的層狀二硫化鍺(GeS2)納米片及其制備方法和應用。所述層狀二硫化鍺納米片是由鍺源和鈣源混合后在900℃~1050℃下經退火Ⅰ,將所得產物加入鹽酸溶液中,在?20℃~?40℃攪拌,得到GeH,然后將GeH和硫源在650℃~850℃下經退火Ⅱ,經洗滌,干燥制得。本發明制備的層狀GeS2單層厚度約為1.2nm,相比于利用機械力的高能球磨方法,本發明利用原位轉化法制備的GeS2,完整地保持了GeH的層狀結構。當其應用在鋰離子電池負極材料時,表現出高的可逆充放電容量以及優異的循環壽命。
聲明:
“高容量的層狀二硫化鍺納米片及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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