1.本技術涉及太陽能電池領域，具體而言，涉及一種鈍化接觸電池及其制備工藝。
背景技術：
2.相較于其他傳統的太陽能電池，摻雜氧化層鈍化接觸電池可以明顯提高太陽能電池的光電轉換效率，在目前已經占有一定的市場份額，具有極高的產業化價值。
3.目前，摻雜氧化層鈍化接觸電池技術關鍵部分是，首先在電池背面生長一層厚度約1.4nm的隧穿氧化層sio
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，然后沉積磷摻雜的n+-poly-si(重摻雜多晶硅)薄膜，經過高溫退火后，能夠有效地降低背面復合電流密度。
4.摻雜氧化層鈍化接觸電池在大規模量產的過程中，主要的技術路線主要有如下兩種：
5.一種是采用低壓化學氣相沉積法(lpcvd)沉積隧穿氧化層和非晶硅薄膜，然后采用離子注入或磷擴散的方式對薄膜進行摻雜形成磷摻雜的多晶硅；另外一種是基于管式pecvd(等離子體增強化學氣相沉積法)沉積技術，由于其繞鍍更少，有利于外觀和良率的控制，具有更高的量產優勢。
6.但是，一方面，在pecvd沉積poly-si過程以及后續的高溫退火過程中，存在嚴重的爆膜問題，導致電池光電轉換效率降低。
7.另一方面，背面的重摻雜多晶硅在絲網印刷過程中的耐銀漿腐蝕能力較弱，容易被金屬刺穿從而增加金屬復合，導致光電轉換效率降低。
技術實現要素：
8.本技術的目的在于提供一種鈍化接觸電池及其制備工藝，能明顯改善pecvd沉積得到的背面場鈍化結構爆膜嚴重的問題；還能提高背面耐銀漿腐蝕能力，從而減少金屬刺穿現象，降低金屬復合。
9.本技術的實施例是這樣實現的：
10.第一方面，本技術實施例提供一種鈍化接觸電池的制備工藝，其背面場鈍化結構的制備包括：
11.在硅片的背面生長隧穿氧化層；
12.在隧穿氧化層的表面生長本征碳化硅層；
13.在本征碳化硅層表面生長磷摻雜碳化硅層；以及
14.退火處理，以使磷摻雜碳化硅層中的磷與碳化硅形成共價鍵。
15.上述技術方案中，在背面場結構中，在隧穿氧化層的表面依次生長本征碳化硅層和磷摻雜碳化硅層，代替傳統的多晶硅結構。在pecvd沉積工藝中，能明顯改善爆膜的問題，有利于增強電池的鈍化性能，并有利于使得voc(開路電壓)和電池效率得到提升。由于sic
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相較于poly-si具有更高的硬度，在絲網印刷后的燒結過程中能提高背面耐銀漿腐蝕能力，從而減少金屬刺穿現象，降低金屬復合，同樣地有利于使得v
聲明：
“鈍化接觸電池及其制備工藝的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：通威太陽能（眉山）有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
