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CVD（G）系列高溫真空氣氛管式爐專門設計用于高溫CVD工藝。如ZnO納米結構的可控生長、氮化硅渡膜、陶瓷基片導電率測試、陶瓷電容器（MLCC）氣氛燒結等等。 窯爐采用氧化鋁纖維制品隔熱、保溫，優質硅鉬棒加熱，優質99剛玉管爐膛，氣體采用浮子流量計流量計控制。進口單回路智能溫度控制儀控制，有效的實現溫度的控制。設備具有溫度均勻、控制穩定、升溫速度快、節能、使用溫度高、壽命長等特點，是理想的科研設備。
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?該設備為1200℃開啟式真空管式爐，不僅可以抽真空,也可以通氣體保護。爐管工件橫穿于上下共8組電阻絲的爐膛，溫場均勻性好。該設備為特殊設計，爐體上部設計有石英管，樣品經過電機驅動，上下移動，方便取放樣;設備兩端安裝有卡箍式不銹鋼快接法蘭，安裝拆卸簡便快捷，該設備廣泛應用在半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領域。雙溫區結構設計可獲得較長恒溫區間，溫場均勻性好。結構簡單，操作方便。法蘭出氣端設計有加熱帶輔助加熱，避免管內水汽冷凝，多余水汽通過法蘭直接冷凝后經出水口排出。
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高溫高壓爐設計為高溫高壓條件下使用，爐管采用鎳基合金鋼管，具有較高蠕變強度和抗氧化性。密封圈為金屬無氧銅密封圈，可以在高溫狀態下通入實驗氣氛參與實驗。設備配有背壓閥，加熱過程中氣體膨脹，壓力上升，背壓閥可將路管內多余氣體排出，維持壓力穩定。同事設備上裝有壓力傳感器和電磁閥，當壓力傳感器檢測到內部壓力大于所設定的壓力時通過信號傳送至高壓電磁閥，電磁閥打開釋放出多余壓力，可確保安全使用。該設備為單端封口設計，可將線質材料通過雙芯剛玉管穿過法蘭，并連接到檢測設備上，以便檢測再高溫條件下材料的性能變化。
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1200℃開啟式真空管式爐可通氣氛抽真空，設備采用開啟式結構，安裝拆卸方便。石英管確保在高真空條件下使用。進氣端法蘭采用折頁式法蘭設計，避免取放料時的繁瑣操作， 爐管工件橫穿與進口電阻絲的爐膛，溫場均勻，內外溫差可控制在5度左右，氣動彈簧支撐結構讓操作者可各角度安全開啟，該款廣泛應用在半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領域。
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熱壓方法的最大優點是可以大大降低成形壓力和縮短燒結時間，可以制得密度高和晶粒極細的材料，該設備可將壓制和燒結兩個工序一并完成，可以在較低壓力下迅速獲得冷壓燒結所達不到的密度，從這個意義上說，熱壓是一種強化燒結。凡是用一般方法能制得的粉末零件，都適于用熱壓方法制造，尤其適于制造全致密難熔金屬及其化合物等材料 。
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1400℃高溫管式爐廣泛用于:真空或氣氛燒結、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環境.。該設備技術成熟、質量可靠，溫場均勻，結構合理，法蘭以卡箍密封，安裝拆卸簡便快捷，是各大材料實驗室必備的理想設備之一。
2025年06月06日 ~ 08日 
2025年06月06日 ~ 08日 
2025年06月13日 ~ 15日 
2025年06月13日 ~ 15日 
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