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射頻發生器 射頻電源是一種高性能射頻發生器，其采用最新LDMOS技術，功率范圍從100W到10kW，頻率覆蓋2MHz到100MHz，具備頻率調諧、脈沖等功能，且配備靈活用戶界面和高級功能。它適用于半導體、工業鍍膜等領域，能在極端動態負載下可靠工作。產品還提供廣泛的功率和頻率配置，集成先進組件，支持高穩定射頻輸出、電弧管理等特性，易于集成和控制。其應用廣泛，包括PECVD、PVD、刻蝕設備等，且在多個知名科研機構和項目中得到應用，如布魯克海文國家實驗室、勞倫斯伯克利國家實驗室等。
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熱舟蒸發源是一種用于實現輕薄薄膜金屬沉積的設備，特別適用于薄層沉積、光學涂覆、混合層沉積和金屬電極接觸等應用。該設備由高質量、高真空兼容材料制成，能夠在超高真空環境下加熱至250℃，確保沉積過程的穩定性和純度。熱舟蒸發源支持手動或馬達驅動擋板，最大工作電流可達100A，可根據客戶需求定制，滿足多樣化的薄膜制備需求。
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半球型電子能量分析譜是一款高性能的電子能譜分析設備，具備120mm半徑的大型高透射半球形分析器和全程180度反轉角度，采用Jost電極進行邊緣校正，配備全磁屏蔽和金屬襯里真空外殼，確保高精度和穩定性。設備支持電腦控制電源、多個光學透鏡和6個可選入口狹縫，提供單通道或多通道檢測器選擇，多通道檢測器還可配備高分辨出口狹縫。搭配SPECTRA V8軟件，用于高效的數據采集和處理，廣泛應用于材料表面電子結構和化學狀態的分析。
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磁控濺射靶源是一種專為超高真空系統（1e-11 Torr）設計的商業用濺射源，能夠在不配置彈性墊圈的結構中烘烤至250℃，實現超高純度的濺射沉積。它適用于金屬、電介質和復合物的沉積。設備提供多種靶材尺寸（如1英寸、2英寸、3英寸等），靶材厚度最低可達4mm，有效節約靶材。濺射源法蘭帶有氣體管道，提升濺射操作時的真空度。支持手動或馬達驅動擋板，可原位傾斜（±30°），配備氣體流量控制，支持全自動化進程，冷卻水流量低（僅0.5L/min），占用空間小，適合高真空環境使用。
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合金納米顆粒UHV沉積源是納米顆粒沉積源，可在超高真空中將純納米顆粒和合金納米顆粒沉積到樣品上，從而形成功能性涂層。此外，我們可以通過精確控制納米顆粒的大小、組成和結構來定制納米顆粒涂層的性能。此外，還提供以下源：單個 1英寸源（NL-D1）、一個 2 英寸源 （NL-D2） 或三個 1 英寸源（NL-D3）。最后，我們可以將這些源集成到您現有的 PVD 系統中，或將它們集成到我們定制的 真空系統中。
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俄歇電子能譜(AES、Auger)是一種利用高能電子束為激發源的表面分析技術. AES分析區域受激原子發射出具有元素特征的俄歇電子。俄歇電子在固體中運行也同樣要經歷頻繁的非彈性散射，能逸出固體表面的僅僅是表面幾層原子所產生的俄歇電子，這些電子的能量大體上處于 10～500電子伏，它們的平均自由程很短，大約為5～20埃,因此俄歇電子能譜所考察的只是固體的表面層。俄歇電子能譜通常用電子束作輻射源，電子束可以聚焦、掃描，因此俄歇電子能譜可以作表面微區分析，并且可以從熒光屏上直接獲得俄歇元素像。
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多高度探針用于測量各種材料和樣品尺寸。由25厘米寬、29厘米深、0.8厘米厚的硬質陽極氧化鋁底座組成。一根直徑為19mm、高度為20cm的不銹鋼柱（用螺絲固定在底座上）支撐探頭的升降機構，包括垂直滑動、操作桿軸和微型開關。垂直滑動帶著探頭，由夾緊螺釘固定。探針頭的位置應確保在探針接觸之前，微動開關不會通過電流。丟失動作確保在探頭升起之前切斷電流。探針臂可以很容易地定位在垂直軸上的不同高度，以允許對扁平材料或大或厚材料進行探測。
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俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統是一種用于薄膜及合金表面深度分析的設備，結合了俄歇電子能譜（AES）、低能電子衍射（LEED）和氬離子濺射深度分析技術。它能夠實現對薄膜和合金的元素組成、原子結構和深度分布的“亞納米級”精度分析，適用于大范圍樣品的半自動化操作。系統配備延遲型區域分析器、雙靜電透鏡電子槍、磁場內電子沖擊離子源、線型磁動樣品傳輸臂和超高真空腔體等組件，支持樣品預抽真空室（load-lock腔室），具備高精度和高真空度的特點，可用于多種材料的表面分析。
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單點開爾文探針是一種高精度、非接觸、非破壞性的振動電容裝置，專門用于測量導電材料的功函或半導體材料表面的表面電勢和表面功函。這種技術對材料表面最頂部的1-3層原子或分子非常敏感，因此是一種極其靈敏的表面分析方法。KP Technology公司提供的單點開爾文探針系統具有業界最高的分辨率，功函分辨率小于3meV，支持手動高度調節。它廣泛應用于有機和非有機半導體、金屬、薄膜、太陽能電池、有機光伏材料以及腐蝕研究等領域。
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