有色金屬冶金設備

快速升溫CVD系統 471     

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快速升溫CVD系統RTP-1000-F3LV是專為半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3″ ）的退火而設計，配有3路流量計和機械泵。本機采用 9KW的紅外燈進行加熱，最快升溫速度可達 100℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。

1200℃臺式箱式爐(7.2L,含通氣孔或觀察窗) 503     

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1200℃臺式箱式爐（7.2L，含通氣孔或觀察窗）KSL-1200X采用瑞典康泰爾電阻絲為加熱元件，最高溫度可達到1200℃，連續工作為1100℃。本機具有表面溫度低、升降溫度速率快、溫場均衡及節能等優點，是高校、科研院所、工礦企業進行高溫燒結、金屬退火、質量檢測的理想設備。

1400℃小型管式爐 400     

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1400℃小型管式爐GSL-1400X是小型高溫管式爐，采用高純氧化鋁剛玉爐管和硅碳棒加熱元件，設有兩個真密封法蘭，控制系統采用高精度可控硅移相觸發控制，其控溫精度為±1℃，可設置30段升降溫程序，最高溫度可達1400℃。

1700℃立式淬火爐 373     

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1700℃立式淬火爐GSL-1700X-80VTQ采用直徑80mm的氧化鋁爐管、下置淬冷水箱結構，專為淬火樣品能從高溫狀態進入冷水或油等淬冷介質中快速冷卻而設計，以研究材料階段性過渡和微觀結構。

1800℃高溫真空管式爐 443     

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1800℃高溫真空管式爐GSL-1800X-S內膛中嵌有ZrO2內襯，并采用Kanthal Super-1900硅鉬棒為加熱元件，最高溫度可以達到1800℃，廣泛用于真空或惰性氣體保護狀態下，新材料樣品的燒結和退火。

大口徑管式爐 493     

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GSL-1100X-XX-S是一款雙溫區的大口徑管式爐,爐管兩端安裝有鉸鏈式不銹鋼密封法蘭。此款管式爐可廣泛地應用于在真空或氣氛保護環境下對材料進行燒結或退火等熱處理。溫控方面，設備可達到最高溫度為1100℃，可設置30段升降溫程序，控溫精度為+/-1℃。

小型1000℃RTP爐 446     

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小型1000℃RTP爐OTF-1200X-4-RTP 是一款精巧型快速熱處理管式爐，配有4"石英管和真空法蘭，是專為半導體或太陽能電池基片（最大3"）的退火而設計。本機采用10KW紅外燈管加熱，最快升溫速度為 50℃/s，設有30段溫度控制，精度為±1℃。此外，通過RS485口和控制軟件可在計算機上實現實時控制和溫度曲線顯示。

1000℃臥式馬弗爐 358     

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1000℃臥式馬弗爐爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用電阻絲為加熱元件，且均勻地分布六面墻體，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用性能穩定、長壽命的“S”型熱電偶，以提高控溫的精準性。

小型高溫高壓管式爐 516     

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小型高溫高壓管式爐OTF-1200X-HP-12爐管采用鎳基合金鋼制作而成，最高溫度可達1100℃，同時可向爐管中通入氧氣、氮氣、水蒸氣及惰性氣體等。

晶體生長爐 498     

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SKJ-50晶體生長爐是用提拉法生長高質量氧化物單晶及金屬單晶，如藍寶石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等，最大可長出晶體尺寸達3" 。

微波高溫馬弗爐 594     

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MF型微波高溫馬弗爐是實驗室專用的標準微波高溫設備，適用于空氣氣氛條件下微波合成、微波灰化、微波膨化、微波熱處理、微波焙燒、微波煅燒、微波燒結等工藝實驗研究。

金屬晶體生長爐 672     

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SKJ-M50-16金屬晶體生長爐是用坩堝下降法生長金屬晶體的設備，可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護氣氛下、在可控的局部壓力狀態下運行。根據金屬的屬性，本機可采用中頻感應加熱電源，以及石墨電阻加熱兩種加熱方式；采用歐陸微處理器與熱電偶閉環控制爐溫，使結晶體按照一定的直徑進行控制。

微型管式爐 526     

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GSL-1000X-S是一款微型管式爐（管徑：20mm），最高溫度可達到1000℃，標配內包含不銹鋼密封法蘭與石英管，客戶接通電源即可立即使用。30段可編程精密溫度控制器,可根據不同的客戶需求來設定升降溫程序。爐體可垂直或水平放置以滿足不同的應用，如樣品熱處理、VSL、CVD 以及氣體分析等實驗工藝中。

1100℃小型高真空爐 452     

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1100℃小型高真空爐VBF-1200X-H8是專門針對在1100℃真空或各種氣氛條件下，對6″以下的樣品進行熱處理而設計的真空管式爐。

熔煉鑄造爐 460     

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VIMC-150熔煉鑄造爐適用于鉑、鈀、鈦、黃金、K金、銀和銅等金屬鑄造，廣泛應用于學校、實驗室、珠寶首飾、牙科鑄造和工藝品鑄造等相關行業領域，采用智能西門子控制系統 ，可連續24小時工作；在真空和惰性氣體保護下，全自動真空倒模成形，成品無氧化、密度高和無沙孔；全自動鑄造過程，融化時間5-6分鐘；鑄造方法是反轉式真空加壓鑄造方式。

1100℃帶校準系統管式爐 501     

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GSL-1100X-50-LVT 是一款已通過CE認證的1100℃分體式真空管式爐. 標配內包含KF25 轉接口、 進口數顯真空計 、雙旋片機械泵 、 油霧過濾器,另外配有OMEGA 測溫儀及K 型熱電偶 一套, 可將K型熱偶從左端法蘭安裝于爐管內部從OMEGA測溫儀上讀取樣品實時溫度. 30段可編程溫度控制儀，可按不同客戶的實驗要求設置所需要的升溫速率，控溫精度±1℃.爐體在加熱過程中真空不能高于1E-2 Torr使用，否則容易造成爐管的損壞。

1700℃立式高溫管式爐 547     

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1700℃立式高溫管式爐GSL-1700X-80VT采用硅鉬棒進行加熱，最高溫度可以達到1700℃，專門針對于材料在真空或氣氛保護環境下的燒結。溫控系統采用PID控制器，可設置30段升降溫程序，控溫精度為± 1℃。

1200℃三溫區可傾斜旋轉爐 505     

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1200℃三溫區可傾斜旋轉爐OTF-1200X-5L-R-III主要針對于粉料的混燒，爐管可360°轉動，且內部設有4片揚料板，可增加粉料燒結的均勻性，因而適合于實驗室中較多粉料的燒結，特別是鋰電材料的燒結，如LiFePO3、LiMnNiO3等。

真空熱壓爐 740     

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OTF-1200X-VHP4真空熱壓爐配有?4"石英管、20T電動壓力機，可以加熱到1100℃，帶水冷的法蘭可使真空度達到10-5torr（用分子泵），在5T壓力下可鍵合多層基片，是在真空高壓下制備致密化合物材料的理想設備。

1200℃立式真空小管式爐 516     

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1200℃立式真空小管式爐OTF-1200X-S-VT是一款小型開啟式立式管式爐，適合于對樣品在真空或氣氛保護環境下吊燒和淬火。采用PID控制器進行溫度調節，可設置30段升降溫程序，控溫精度為± 1℃。

混氣系統4路質子 429     

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混氣系統4路質子GSL-4Z是用于控制一種到四種的氣體流經真空密封的管式爐，這種氣體控制系統安裝在移動架內，管式爐可以放在移動架上面，氣體控制系統的前面板上有控制并顯示氣體流量的調節閥，可以用于CVD系統及退火爐，用來研究氣體環境對材料的影響，在半導體和集成電路工業、特種材料學科、化學工業、石油工業、醫藥、環保和真空等多種領域的科研和生產中有著重要的作用，廣泛應用于電子工藝設備，如擴散、氧化、外延、CVD、等離子濺射以及鍍膜設備、光纖熔煉、混氣配氣系統及其它分析儀器。

高真空鉭加熱爐 483     

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高真空鉭加熱爐是高溫電阻加熱爐。以鉭為加熱元件，適用于高真空狀態下對金屬、非金屬及其化合物進行燒結、熔化，也可以對小型樣品進行真空釬焊的操作，如硬質合金、鎳基合金、粉末冶金、鎳鈷合金、合金鋼、不銹鋼、稀土釹鐵錋等。高真空鉭加熱爐極限工作溫度為2000℃，工作最高溫度1800℃，工作過程中的加熱速度可以通過溫控表進行設置，但升溫速度過快會使鉭爐膽的壽命會有所降低，為了延長爐子的使用壽命，推薦每分鐘的升溫速度為20℃，在500℃以下可以適當加快升溫速度。

1200℃開啟式雙溫區管式爐 436     

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1200℃開啟式雙溫區管式爐OTF-1200X-II最高溫度可達到1200℃，并可通過調節兩個獨立的控溫程序，使爐管內溫度場形成一梯度。本機可用CVD方法來生長納米材料和制作各種薄膜。

1200℃單管滑動快速加熱冷卻爐 455     

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1200℃單管滑動快速加熱冷卻爐OTF-1200X-80SL底部安裝一對滑軌，可手動進行爐體移動，最高工作溫度達1200℃，加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環境下可以達到10℃/s。為獲得最快加熱，可預先加熱爐子到設定的溫度，然后移動爐子到樣品位置；為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后移動爐子至另一端，本機是低成本進行快速熱處理的理想設備。

1500℃三溫區開啟式管式爐 391     

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1500℃三溫區開啟式管式爐OTF-1500X-III是高溫管式爐，最高溫度可達1500℃，三個溫區分別用三個獨立的溫控系統控制，每個溫區都可以設置30段升降溫程序，并設有過熱和斷偶保護功能，控溫精度高達±1℃。本機特別適合于在氣氛保護或真空環境下對樣品進行退火和燒結。

微波氣氛燒結爐 544     

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QS型微波氣氛燒結爐是標準化多功能微波高溫實驗工作站，適用于各種氣氛、真空條件下的合成、焙燒、熱處理、燒結等工藝研究。

真空感應熔煉爐 671     

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真空感應熔煉爐SP-15VIM適用于大專院校、研究所實驗室小量金屬樣品的迅速融化，是研制新型金屬材料的理想工具。

微波高溫管式爐 689     

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LZG型微波高溫管式爐是標準化多功能微波立式氣氛管式爐，適用于各種氣氛、真空條件下的合成、焙燒、熱處理、燒結等工藝研究，尤其適用于各種氣固相、氣相反應、合成反應、分解反應等。

小型鈦金屬反應釜 439     

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RC-Ti-100小型鈦金屬反應釜是由純鈦金屬制作而成，最大可耐4Mpa的壓力，是制備先進材料，尤其是水熱法合成生物材料的理想工具。

800℃高壓爐 585     

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800℃高壓爐OTF-1200X-HVHP-80是高溫高壓管式爐，爐管采用 SS310S鎳基合金鋼制作而成，兩端配有法蘭和閥門，專為在105 PSI高壓下使用，可在通入氧化或惰性氣體的氣氛下，處理特殊的化合物。