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SP-MSM360 32工位高通量電弧熔煉系統是一款多工位（工位數量可按照要求進行定制加工）的高通量電弧熔煉系統，專門針對于合金的結構和相圖研究實驗。由真空手套箱、X-Y-Z軸可移動機床和電弧熔煉爐組成，一次可容煉32組樣品，其熔煉溫度可高達3500℃。SP-MSM360 32工位高通量電弧熔煉系統在工作過程中可以通過控制系統來移動電極到所要熔煉的坩堝內對樣品進行熔煉。煉樣坩堝和電極都采用水冷裝置，腔室內可以通氬氣對熔煉氛圍進行保護，對于采用高通量法來探索新一代高溫合金的實驗中，此系統將是優佳選擇。
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SP-MSM-4CZ四電弧提拉法單晶生長爐是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。
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1200℃單溫區可傾斜旋轉爐OTF-1200X-4-R是針對無機化合物煅燒，為獲得較好的一致性而設計。特別對于鋰電池負極材料的制備，具有極好的效果，且可提高導電性。此外，還可應用在粉體材料上涂層，如LiFePO3、LiMnNiO3等材料的研究和開發。
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GSL-1100X-RTP50是一款CE認證的快速加熱冷卻爐，配置50mm OD×44mm ID×304.8mm L的高純石英管（單端封口），最高工作溫度可達1100℃，一滑軌安裝在右側法蘭處用于爐管的手動移動，從而實現快速的加熱冷卻。為取得最快加熱，可以預先加熱爐子到設定的溫度，然后將爐管插入到加熱區內；為獲得最快冷卻，可在樣品加熱后從加熱爐中移出爐管在空氣中進行強冷。加熱和冷卻速率在真空或者惰性氣體環境下可以達到10℃/s，是低成本快速熱處理的理想爐子。
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高真空快速CVD系統OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統和高真空機組組成，可進行半導體基片、太陽能電池及其它樣品（尺寸可達3″ ）的退火，并采用 10KW的紅外燈進行加熱，最快升溫速度可達 120℃/s，配有RS485 接口，可以通過控制軟件在計算機上控制運行并顯示溫度曲線。
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GSL-1600X-VIGA300氣體霧化金屬粉末制備系統是**研制開發的冶金設備，可用于制備鐵基金屬粉末、鎳基金屬粉末、銅粉末、貴金屬粉末等。與同類設備相比，其不僅應用廣泛，且具有體積小便于操作及清理方便的優點,是一款實驗室制備材料粉末的理想設備。
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MTI系列加熱平臺是專為材料加工及材料研究實驗室而開發，采用鋁材質整體鑄造，單片機作為核心控制部件，升溫速度快，控溫精準，溫度高低可調，使用完畢后散熱速度快。MTI系列加熱平臺主要適用于加熱時不會發生性質和性狀改變的材料，即不受加熱影響的材料，尤為適用于對溫度敏感材料（如晶體、半導體、陶瓷、金屬等材料）的加熱。也可用于實驗室做化學分析、物理測定、熱處理時進行物品的烘焙、干燥以及其它溫度試驗加熱。設備結構簡單操作方便，是實驗室進行加熱用的合適工具。
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1700℃三溫區高溫真空管式爐GSL-1700X-Ⅲ采用三個數字溫度控制器進行獨立控溫，可設置30段升降溫程序，中心加熱區采用800℃級硅鉬棒加熱，另外兩個溫區采用硅碳棒進行加熱，調整三個溫區的溫度，可形成一個溫度梯度，進行功能材料的制備。同時，本機也適用于CVD法制作薄膜外延生長。
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帶滑動法蘭三溫區CVD系統OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃，并通過調整三個溫區而建立不同梯度的熱場，可進行退火、擴散、在不同氣氛中燒結樣品及CVD等實驗。
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