一種氮化硅釩合金的冶煉方法,將五氧化二釩、鋁粉、工業硅和鐵屑進行混料,通過鋁熱法制取釩硅合金,破碎制粉,使用壓球機將物料壓制成直徑為30mm?80mm的球料;將壓好球的的釩硅合金送入真空燒結爐中,抽真空,升溫燒結,達到800?950℃時通入高純氮氣進行氮化反應,反應完成后,降溫,得到氮化硅釩合金。優點是:工藝簡單,通過原料鐵屑的配入量控制后續氮化處理的氮含量,能夠滿足不同客戶對氮化硅釩合金的需求,不受原料成分的限制,能耗少,產品成分穩定。
本發明提供一種真空式濾油機用冷凝裝置,進油管與粗濾器相連通,粗濾器的輸出管通過管路Ⅰ進入加熱器,加熱器的輸出管通過管路Ⅱ進入真空分離器與真空分離器的霧化噴淋裝置的輸入管相連通;真空分離器的上部抽氣管與冷凝裝置相連通,冷凝裝置的冷凝介質進液口和冷凝介質出液口之間通過蛇管連通,蛇管為沿螺旋角度15°?30°上升的盤管;冷凝裝置再與后續處理裝置相連;真空分離器的底部輸出管通過管路Ⅲ與油泵相連通再進入精濾器中進行進一步過濾后排出精油;經油泵后,一部分油液通過管路Ⅳ與管路Ⅰ相連通重新進入到加熱器進行再循環。本發明的結構設計合理,體積小,安全可靠,能有冷凝水汽從而保證過濾效果,獲得清潔度較高的油品。
本發明提供一種超精真空式濾油機,其特征在于包括:粗濾器、加熱器、真空分離器、冷凝裝置、油泵和精濾器;進油管與粗濾器相連通,粗濾器的輸出管通過管路Ⅰ進入加熱器,加熱器的輸出管通過管路Ⅱ進入真空分離器與真空分離器的霧化噴淋裝置的輸入管相連通;真空分離器的上部抽氣管與冷凝裝置相連通,冷凝裝置再與后續處理裝置相連;真空分離器的底部輸出管通過管路Ⅲ與油泵相連通再進入精濾器中進行進一步過濾后排出精油;經油泵后,一部分油液通過管路Ⅳ與管路Ⅰ相連通重新進入到加熱器進行再循環。本發明的結構設計合理,體積小,安全可靠,能有效保證過濾效果,獲得清潔度較高的油品。
一種直接熱還原連續制備金屬銪的方法,屬于有色金屬冶金技術領域。本發明的制備方法具體包括:將Eu2O3、還原劑、CaO或MgO作為原料,其中還原劑為Al可以用Ca或Si質量含量75%的Si-Fe合金代替,經過配料造球,然后將球團在流動的惰性氣體或氮氣氣氛中進行高溫還原反應,最后將由高溫還原爐中流動的惰性載氣或氮氣攜帶出來的高溫銪蒸汽冷凝,得到金屬銪。本發明方法采用了“相對真空”手段,取消了真空系統以及真空還原罐,實現了金屬銪的連續生產,縮短了還原周期,提高了生產效率,金屬銪的回收率可達97%以上;能耗顯著降低,是一種低成本制備金屬銪的節能型綠色新工藝;且操作簡單,設備更簡單要求低,降低了設備投資及操作成本。
一種直接熱還原連續制備金屬鐿的方法,屬于有色金屬冶金技術領域。本發明的制備方法具體包括:將Yb2O3、Al、CaO或MgO作為原料,其中還原劑為Al可以用Ca或Si質量含量75%的Si-Fe合金代替,經過配料造球,然后將球團在流動的惰性氣氛中或氮氣進行高溫還原反應,最后將由高溫還原爐中流動的惰性載氣或氮氣攜帶出來的的高溫鐿蒸汽冷凝,得到金屬鐿。本發明方法采用了“相對真空”手段,取消了真空系統以及真空還原罐,實現了金屬鐿的連續生產,縮短了還原周期,提高了生產效率,金屬鐿的回收率可達97%以上;能耗顯著降低,是一種低成本制備金屬鐿的節能型綠色新工藝;且操作簡單,設備更簡單要求低,降低了設備投資及操作成本。
一種多級深度還原制備高熔點金屬粉的方法,屬于制粉技術領域。該方法包括:將烘干后的高熔點金屬氧化物粉和鎂粉混合,進行自蔓延反應,高熔點金屬Me,具體為W、Mo、Ta、Nb、V、Zr、Hf或Re中的一種或幾種;將中間產物置于密閉反應釜中,以鹽酸為浸出液進行浸出,得到低價高熔點金屬的低價氧化物MexO前驅體;與鈣粉混合均勻,壓制,置于真空還原爐中,加熱升溫至700~1200℃,深度還原1~6h,以鹽酸為浸出液對深度還原產物進行浸出,經處理,得到高熔點金屬粉。該方法原料成本低,操作簡單,對工藝條件和儀器設備要求低,為工業化生產奠定了基礎,高熔點金屬粉具有純度高,粒度分布可控,粉末活性高等優點。
一種多級深度還原制備還原鈦粉的方法,屬于制粉技術領域。該方法包括:將烘干后的二氧化鈦粉與鎂粉混合均勻,加入自蔓延反應爐中,引發自蔓延反應,將得到低價鈦氧化物TixO彌散在MgO基體中的中間產物,以鹽酸為浸出液對中間產物進行浸出,過濾、洗滌、真空干燥,得到低價鈦氧化物TixO前驅體,與鈣粉混合均勻,壓制,置于真空還原爐中,進行二次深度還原,以鹽酸為浸出液對深度還原產物進行浸出,得到還原鈦粉。本方法原料成本低,操作簡單,對工藝條件和儀器設備要求低,為工業化生產奠定了基礎,所得的還原鈦粉具有純度高,粒度微細,粒度分布可控,粉末活性高等優點。
一種以硼鎂石為原料真空熱還原法制取金屬鎂及富硼料的方法,屬于真空金屬熱還原煉鎂技術領域,該方法包括以下步驟:(1)配料;(2)磨料;(3)煅燒;(4)將煅燒后的團塊粉碎至粒徑小于0.2mm,然后與粒徑小于0.2mm的鋁粉均勻混合,壓制成團塊;(5)真空還原;(6)渣料浸出;(7)過濾分離;(8)烘干;(9)種分或碳分,將過濾后的含有少量Na2CO3和NaOH的NaAl(OH)4溶液進入種分或碳分容器中,使NaAl(OH)4分解為氫氧化鋁(Al(OH)3)。本發明提供的一種利用硼鎂石提取金屬鎂并獲得低鎂富硼料的方法,可以使硼鎂石礦得到綜合利用。
本發明屬于冶金技術領域,涉及一種以硅鋁合金為還原劑制取金屬鎂的方法,本方法以白云石和菱鎂礦為原料,用硅鋁合金作還原劑,在高溫和真空條件下,還原煅燒白云石,生成金屬鎂,其工藝流程為:原料→煅燒白云石和苛性菱鎂礦→配料→制團→磨粉→真空還原→金屬鎂、鑄造、鎂錠,其中配料為:煅燒白云石(24%Mg),苛性菱鎂礦(50%Mg)和硅鋁合金成分其配為:煅燒白云石∶苛性菱鎂礦∶硅鋁合金=3.8~4.0∶0.8~1.2∶1~1.4,本發明的優點:產量增加1~1.4倍,能耗降低50%以上,金屬鎂成本降低20~25%,設備投資降低40~60%,還原罐耗量降低55%,利潤增加7倍左右。
一種高壓大功率逆變器模塊,包括構成逆變器電路的六個內設續流二極管的功率MOS芯片,其特殊之處是:所述的六個功率MOS芯片集成在一個管殼內,所述的管殼長度為26~30mm、寬度為20~26mm,在管殼底座上焊接有金屬化陶瓷基板,在金屬化陶瓷基板上焊接有鉬片及可伐片,所述的功率MOS芯片通過真空燒結焊接在鉬片上,各個功率MOS器件之間采用硅鋁絲互連。優點是:管殼采用一體化設計,結構緊湊,占用空間小,特別是將功率MOS器件通過真空燒結焊接在鉬片上,可實現低的空洞率,降低了芯片到管殼的熱阻,提高了可靠性。
一種二硅化鋯的生產方法,將原料二氧化鋯粉、二氧化硅粉和石墨粉加入工業粘結劑在真空球磨機中球磨,獲得混合物料;將混合物料,用油壓機壓制圓餅狀塊料,放入真空燒結爐中,抽真空至1Pa,送電升溫一次燒結,獲得粗二硅化鋯,精整破碎,球磨,制粉,加入工業粘結劑,放入油壓機磨具中,沖壓成型,獲得粗二硅化鋯塊料,放入真空感應熔煉爐的石英坩堝中,送電升溫進行二次熔煉,待充分熔化后,倒入坩堝出爐冷卻;出爐后,精整制粉,獲得二硅化鋯粉。優點是:工藝合理,可操作性強,通過嚴格控制反應條件,先真空燒結,再真空熔煉,兩段硅鋯合金化反應,使二硅化鋯合金化程度可以達到100%,且合成溫度相對較低,適合工業化生產。
針對現有透明陶瓷制備技術中存在的問題,本發明提供了一種制備透明陶瓷激光棒的離心成型方法,屬于光學透明陶瓷材料制備工藝領域。該方法按(Y1-xYbx)3Al5O12,0.01≤x≤0.1的化學配比將Al2O3、Y2O3、Yb2O3粉體混合,通過固相法制得原料粉體,將透明陶瓷粉體與分散劑和去離子水混合配置成漿料,利用離心成型方法得到棒狀坯體。坯體經充分干燥后,在1700℃下進行真空燒結5-10小時,再經過熱處理、打磨拋光從而得到透明陶瓷激光棒。這種離心成型方法得到的激光棒氣孔率低,均勻性好,致密度高。透過率在可見光區域內可以達到70%以上。從而克服了其他干法和濕法成型所帶來的密度分布不均勻、成型周期長,氣孔率高等缺點??勺鳛楣腆w激光器工作物質,在光學透明陶瓷領域有著良好的應用前景。
本發明涉及一種碳化硼復合材料的制備方法,特征是步驟如下:按質量百分數計取金屬氧化物粉末5~50%,余量為碳化硼粉末,混合配料,在100~150MPA下模壓成預制坯;然后將預制坯置于真空燒結爐中,抽真空至20~100PA,以5~8℃/MIN速度升溫至1850~2060℃,保溫10~60分鐘,得到碳化硼基多孔預燒體;最后在真空條件下熔滲鋁,熔滲工藝為900~1100℃,保溫0.5~2H,真空度為5~100PA。本發明優點和產生積極效果是:在單一碳化硼材料的基礎上提高斷裂韌性1.78~2.75倍;生產成本低;制備方法簡單,有利于加工成各種形狀復雜的產品,易于在碳化硼陶瓷材料制造領域推廣應用。
本發明提供一種制備細晶CuCr合金的方法,工藝步驟為:(1)將無氧銅塊與鉻塊感應加熱使銅塊與鉻塊熔化互溶,經氬氣加壓將熔融液體噴出經過銅輥轉動急冷甩帶或水冷旋轉盤離心霧化;(2)將細晶CuCr合金材料在氬氣保護下采用高能球磨機進行球磨;(3)將細晶復合CuCr合金粉裝入模具壓塊制成壓坯;(4)將壓坯裝入石墨干鍋,放入真空燒結爐進行燒結得到細晶CuCr合金。本發明制備的細晶CuCr合金,鉻顆粒的粒徑大小為0.5~10μm、表面硬度為65~162?HV、電導率為26.0~80.8%?IACS,較現有同等鉻含量的CuCr合金粒徑明顯減小,合金性能均有顯著增加,在電觸頭材料的應用上具有更優異的效果。
本發明提供了一種磷摻雜多晶硅薄膜及其制備方法,屬于功能材料領域。通過將多晶硅粉末與磷粉末按比例混合均勻,壓片、真空燒結制得硅靶材,將硅靶材和石英玻璃基片放入真空系統中,采用激光濺射沉積的方法制備出磷摻雜多晶硅薄膜。本發明獲得的磷摻雜多晶硅薄膜,其橫向應變系數絕對值的最大值可達24.3;橫向應變系數的非線性在1-2.5%之間,比現有的多晶硅薄膜降低了0.5%;采用本發明方法可以使多晶硅薄膜摻雜均勻、平整度高、致密性好且控制晶粒尺寸范圍為0.1μm~0.5μm;本發明制備方法簡單、成本低、可控性強,為多晶硅薄膜領域拓展了新思路。
本發明涉及一種碳化鎢軋輥,其成分組成為:WC?84.5~85.5%、Co?6.8~7.5%、Ni?6.8~7.5%、TiC?0.2~0.5%、CrC?0.2~0.5%、VC?0.1~0.3%。將混合好的原料粉末經等靜壓工藝成型,輥坯在1390℃~1490℃溫度范圍內進行真空燒結處理。由于加入具有極好粘結性能的硬質合金相的元素鈷、鎳和碳化鈦、碳化鉻及碳化釩的混合物,從而改善碳化鎢軋輥的組成,形成合理的內部組織結構。合理選擇真空狀態下的燒結溫度,避免欠燒、過燒及變形缺陷,獲得具有良好綜合性能的碳化鎢軋輥,使單輥單次輥環的軋制量提高一倍以上,不僅減少換輥工作量和費用開支,而且提高軋機作業率,確保線材產品的質量。
本發明公開了一種調控微粒組合的燒結釹鐵硼永磁鐵,永磁鐵具有重稀土RH含量高的主相包圍重稀土RH含量低的主相的復合主相,復合主相內部無連續的晶界相;復合主相外圍的重稀土RH含量高于復合主相中心的重稀土RH含量,復合主相的平均晶粒尺寸6-14μm;重稀土RH包含Dy、Tb、Ho、Gd、Y元素一種以上;制造方法包含制備第一合金粉工序、制備第二合金粉工序、合金粉混合工序、磁場成型工序、真空燒結和時效工序;第一合金粉含有Pr、Nd元素,第二合金粉含有重稀土RH,所述的第二合金粉的平均粒徑1.1-2.9μm。
本發明提供了一種直接水冷的粉末燒結多元合金鍍膜靶及其制造方法,所要解決的問題是:粉末燒結的靶材其內部存在微細空隙,會漏水,只能采用間接水冷的方式。本發明的要點是在靶塊的下面復合一個金屬軋制的靶座。制造時采用真空燒結爐,將底座與靶材通過紫銅焊料燒結在一起。本發明的有益效果是:在合金靶材底面設置了不透水的靶材底座,可直接對鍍膜靶的底座進行水冷,提高了冷卻效果和成膜質量。節省約1/3的貴重多元粉體金屬材料,降低靶材的制造成本。
本發明公開了一種釹鐵硼稀土永磁體的自動成型方法,首先將裝有釹鐵硼稀土永磁合金粉末的料罐與氮氣保護取向磁場自動壓機的進料口對接,將料粉料導入稱料器的料斗,稱重后將粉料自動送入模具的模腔內,送粉裝置離開后將壓機上壓缸下移,進入模腔后對粉末充磁取向,然后對粉末加壓成型,然后將磁塊取出放入氮氣保護取向磁場自動壓機內的料盒,料盒裝滿后將料盒蓋上蓋,再將料盒放到料盤上,在氮氣保護下傳送至傳送密封箱,然后在氮氣保護下將傳送密封箱與真空燒結爐的保護進料箱對接,將裝滿料盒的料盤送入真空燒結爐的保護進料箱。
本發明屬于材料技術領域,提供一種單分散球形Y2O3和Al2O3粉制備(Y1?xYbx)AG透明陶瓷的方法。采用均相共沉淀法制備了單分散球形Al2O3粉,與制備的單分散球形Y2O3粉和納米Yb2O3混合作為原料,采用固相反應法、壓制成型和真空燒結技術制備Yb : YAG透明陶瓷。制備的球形Y2O3和球形Al2O3粉體顆粒均勻,分散性好,制備工藝簡單,并且粉體成型時坯體密度高,有利于燒結,適于制備激光透明陶瓷;本發明的方法具有反應條件簡易,環境污染小,易于推廣等優點。
本發明公開了一種用于大尺寸金剛石膜平坦化磨削的砂輪制作方法,包括原料選擇、成份配比,球磨合金化,燒結,杯形砂輪制作及處理。其中原料為TI,AL,CR,NB,V,SI粉末,按摩爾比40~46%AL,1~2%CR,1~2%NB,0~4%V,0~2%SI,余量為鈦進行配比;原料在氬氣保護下球磨,時間90~190小時,轉速280~580R/MIN;然后篩選粒徑<20ΜM的合金粉,經預壓后在真空燒結爐中加壓燒結,燒結溫度900~1200℃,燒結時間15~60MIN,燒結壓力0.2~10MPA;最后將燒結的砂輪環片熱處理后焊接在杯形砂輪基盤上。本發明效果和益處是采用機械球磨和真空加壓燒結制成的鈦鋁合金基砂輪環組織均勻高溫強度高,抗氧化性好,硬度高,耐磨損。
一種多孔鈦基體/羥基磷灰石涂層復合材料的制備方法包括以下步驟:按一定的質量比稱取TiH2粉末和造孔劑氯化鈉顆粒,混合備用。放入模具制成坯料。坯料放入真空燒結爐中,加熱,使氫化鈦粉末分解。再繼續加熱完成燒結,冷卻后在熱水中溶解造孔劑氯化鈉。經清洗后備用。將一定量的Ca(NO3)2?4H2O試劑和P2O5試劑分別在乙醇中溶解形成前驅物,混合攪拌形成羥基磷灰石溶膠。將一定量的AgNO3和KNO3試劑在乙醇中溶解,與溶膠混合攪拌。多孔鈦在上述溶膠中浸入/抽出,反復多次在多孔鈦表面得到含有銀和鉀的羥基磷灰石涂層,得到多孔鈦基體/羥基磷灰石涂層復合材料。本發明工藝簡便,節能,孔隙度及尺寸范圍寬。
一種二硅化鉿的生產工藝,將二氧化鋯粉和硅粉真空條件下球磨混料,用液壓機壓塊后,放入真空燒結爐中進行燒結,精整,去除包覆鉿表面的白色二氧化硅粉體,然后放入真空球磨機中球磨制粉,投入氫氧化鈉加入60℃蒸餾水清,烘干,得到含硅鉿粉;檢測含硅鉿粉中硅含量,并根據鉿粉中硅含量投入硅粉,在真空球磨機中在惰性氬氣保護下球磨5小時,放入真空自蔓燃爐中,抽真空,加熱點火電極,引燃鉿粉,鉿粉和硅粉自蔓延化合反應,獲得二硅化鉿。以二氧化鉿粉為原料,原料成本相對于海綿鉿成本低廉;硅粉為還原劑,不引入其它雜質,該方法整個過程工藝合理,適合工業化生產,獲得的二硅化鉿產品純度高,合金化程度可以達到100%。
本發明涉及金屬基復合材料和焊接領域,特別提供了一種由金屬陶瓷與合金工具鋼采用真空釬焊連接技術制備的復合式攪拌摩擦焊接工具,該焊接工具適用于顆粒增強金屬基復合材料的攪拌摩擦焊接。所述焊接工具的軸肩和攪拌針采用高強耐磨金屬陶瓷材料,而夾持端采用合金工具鋼,焊接工具由兩種材料通過真空釬焊連接構成。所述焊接工具用高強耐磨金屬陶瓷材料是以陶瓷顆粒為增強相,以耐熱金屬合金為粘結相,通過粉末冶金真空燒結方法制備。本發明的復合式焊接工具與傳統鋼質焊接工具相比,在攪拌摩擦焊接顆粒增強金屬基復合材料時,其耐磨性和使用壽命可提高100倍以上,且不會引入雜質污染焊縫,可獲得高的焊縫強度系數和高的焊縫表面質量。
本發明公開了一種含Ho的多主相釹鐵硼永磁鐵及制造方法,永磁鐵含有多種稀土元素含量不同的主相,主相間存在氧化物相,氧化物相中的氧含量高于主相的氧含量;多種主相中存在Ho含量高的主相,多種主相組成的晶粒與晶粒之間由晶界相隔離,平均晶粒尺寸6-14μm;制造方法包含熔煉第一合金、熔煉第二合金、熔煉第三合金、氫破碎、合金混合、氣流磨制粉、磁場成型、真空燒結和時效等工序;熔煉第一合金工序包含制備含有La、Ce、Pr、Nd元素的第一合金的過程;熔煉第二合金工序包含制備含有Pr、Nd、Dy、Ho元素的第二合金的過程;熔煉第三合金工序包含制備含有Pr、Nd、Dy、Gd元素的第三合金的過程。
一種塊狀非晶及納米晶合金的制備方法, 其特征 在于 : 以合金的非晶態薄片, 薄帶或細絲為原料, 其非晶含量為 80%以上; 將原料放置于模具中, 在室溫下以小于100MPa的壓 力初步成型; 將初步成型產品置于真空爐中, 在溫度和壓力下真 空燒結, 壓制溫度限定在該非晶態合金玻璃轉變溫度至晶化溫 度之間, 施加壓力在500MPa~3000MPa之間, 真空度小 于10-1Pa, 燒結時間0.1~2小時。本發明提供了一種適于工業化 生產的塊狀非晶及納米晶合金的制備技術。
一種二次骨架熔滲合金材料的制備方法,屬于材料技術領域,步驟包括制備骨架,然后將骨架置于真空燒結爐中,采用熔滲劑熔滲,所述的制備骨架按以下步驟進行:(1)將骨架粉料置于容器中振實,然后在真空條件下燒結,獲得一次燒結骨架,再將一次骨架粉碎至平均粒徑為原骨架粉料平均粒徑的2~8倍,獲得二次粉體;(2)將二次粉體振實,然后在真空條件下燒結,制成二次骨架。本發明的方法通過將一次骨架粉碎再燒結,不僅提高了骨架的孔隙率,而且能夠使二次骨架的孔隙分布更均勻,二次骨架堅固不易坍塌;采用上述方法獲得的熔滲合金具備了更好的綜合性能,組織均勻、密度高。本發明的方法工藝簡單、易于實施、具有良好的應用前景。
一種利用回收料制備燒結釹鐵硼磁體的方法,回收料經真空熱處理、拋丸、粗顎破、錘頭破、氫破、過篩、氣流磨破碎成平均粒度為5.0~15μm的粉料,再次過篩后在氮氣保護氛圍中,經手套箱向過篩的粉料中添加平均粒度在60~80nm的LaxCe100?x輕稀土納米粉體,并混合均勻。取適量的粉料經磁場取向成型、冷等靜壓、真空燒結及時效處理,對毛坯樣品進行性能檢測,根據樣品檢測結果和產品性能要求,決定是否添加常規工藝流程制備的各種牌號的燒結釹鐵硼粉料并混合均勻,再經磁場取向成型、冷等靜壓、真空燒結及時效處理而制成釹鐵硼成品。該方法不需再熔煉,僅需在回收料中直接添加輕稀土納米粉并均勻混合即可按常規工藝制備產品。
一種高強度原位晶須和顆粒復合增強鈦基復合材料,其特征在于:該復合材料由原位形成的一硼化鈦晶須、碳化鈦顆粒和鈦基體組成,晶須沿擠壓方向排列,原位增強相的體積含量在0.05-0.40。制備過程是使用鈦或鈦合金和碳化硼粉末在1150-1350℃,50-200MPa條件下真空燒結0.5-4小時,然后在1000-1200℃擠壓成型。本發明兼有高的室溫強度和良好的高溫性能。
一種碳納米管增強鎂基復合材料的制備方法,該方法步驟為對碳納米管進行表面改性,使碳納米管表面得到一層均勻、致密的Ni-P合金層;將改性后的碳納米管和鎂、鋁、鋅等元素粉末進行混合,得到混合原料;將混合原料和陶瓷球進行混料得到混合粉末;將混合粉末放入模具中在室溫下進行雙向冷壓;對冷壓后的復合材料和模具一起進行真空燒結;然后將真空燒結后的復合材料進行熱擠壓。本發明可制備出高性能輕質高強的碳納米管增強鎂基復合材料,增強相與基體界面結合良好,具有較高比強度、比剛度、高的導熱率、優良的機械加工性能等特點。這種復合材料在航空航天、汽車工業、3C產業、運動娛樂以及其它工業領域有良好的應用前景。
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