權利要求書： 1.一種薄層SiO2鈍化膜的制備方法，其特征在于，具體包括如下步驟：
1)首先提供一種鏈式連續鍍膜的等離子激發的沉積鍍膜設備；
2)通過連續輸送機構將載有硅片(40)的載板連續輸送至鏈式PECD設備的工藝腔體(10)內實現鍍膜；
3)在工藝腔體(10)內，SiH4和O2分別從不同區域出氣，通過等離子源(20)的電極板出氣孔出02，同時從等離子源(20)的電極板側面的分氣塊(30)出SiH4，SiH4和O2兩種氣體通過不同管路進入到工藝腔體(10)的不同區域流出，在1?20Pa的真空下相遇混合并在連續輸送的硅片(40)表面形成SiO2鈍化膜；其中，O2直接進入到腔體后在射頻能量下由等離子體優先將O2分解成活性氧離子，活性氧離子往下輸運到硅片(40)表面時與從分氣塊(30)出來的SiH4相遇，這時活性氧離子迅速將SiH4氧化并在硅片(40)表面生成Si02薄膜,反應方程式為：SiH4+2O2→SiO2+2H2O。
2.根據權利要求1所述的一種薄層SiO2鈍化膜的制備方法，其特征在于，硅片(40)在輸送進入鏈式PECD設備工藝腔體(10)內之前進行預熱，且在工藝腔內設置加熱板對硅片(40)在線連續加熱，使硅片(40)在經過工藝腔體(10)的過程中保持溫度在200?400℃之間，以進一步提高SiO2鈍化膜的膜層質量。
3.一種太陽能電池，其特征在于，基于權利要求1或2所述的一種薄層SiO2鈍化膜的制備方法制備而成。
4.根據權利要求3所述的一種太陽能電池，其特征在于，為Topcon、POLO、IBC、PERC電池中的任一種。
說明書： 一種薄層SiO2鈍化膜的制備方法及制備的電池技術領域[0001] 本發明涉及高效太陽能電池制備技術領域，特別涉及一種Topcon、POLO、IBC、PERC等電池中SiO2鈍化膜的制備方法以及制備的Topcon、POLO、IBC、PERC等電池。
背景技術[0002] 近年來，隨著晶硅太陽能電池的研究和發展，理論和實踐都證明表面鈍化是電池效率提升的必經之路，氧化鋁薄層鈍化在PERC電池上獲得廣泛推廣。但是用摻雜多晶硅和
氧化硅疊層鈍化效果更佳，是下一代量產技術發展的前景，這是由于氧化硅在晶體硅表面
的起到化學鈍化作用，而摻雜
聲明：
“薄層SiO2鈍化膜的制備方法及制備的電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：江蘇杰太光電技術有限公司
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2025年07月24日 ~ 26日 
