權利要求書: 1.一種基于鋁氣化反應的納米氮化鋁粉體合成裝置,其特征在于包括:外殼(100);
噴霧單元,設于外殼內;
氣化單元,設于外殼內且銜接于噴霧單元下方;
反應單元,設于外殼內且銜接于氣化單元下方;
冷卻單元,銜接于氣化單元下方;
所述噴霧單元包括:送鋁機構(201)、保溫殼體(202)、加熱罩(203)、鋁液倉(204)、氮氣噴管(205)和絕緣蓋座(206);
所述加熱罩設于保溫殼體內,加熱罩內壁上布設有電熱絲(207);所述鋁液倉的中下段設于加熱罩內且與加熱罩內壁之間設有間隙,鋁液倉的頂部設有氬氣進口(208),鋁液倉的底部延伸出加熱罩底部且設有向下的霧化噴嘴(209);所述氮氣噴管通入鋁液倉內中央且其出氣口朝向所述霧化噴嘴;所述送鋁機構設于鋁液倉的頂部;所述絕緣蓋座設于保溫殼體和加熱罩的下方,絕緣蓋座的內圈與鋁液倉的底部外壁之間設有間隙;
所述氣化單元包括:由上保溫絕緣外層(301)、隔熱中層(302)和發熱體內層(303)依次構成的氣化室、感應線圈(304);
所述氣化室的頂部中央設有用于安置絕緣蓋座的開口;氣化室的底部中央設有連通反應單元的開口;所述感應線圈包裹于上保溫絕緣外層的外側;所述發熱體內層的底部呈口徑遞減的錐形,所述錐形與隔熱中層之間的空隙處填充有發熱填充體(305)和隔熱板(306);所述隔熱板位于氣化室的底部位置;
所述反應單元包括:由下保溫絕緣外層(401)和耐熱內層(402)構成的反應室、渦旋噴管(403);
所述耐熱內層的底部呈口徑遞減的錐形,錐形底部中央連接有出料管(404),所述渦旋噴管通過出料管由反應室外伸入反應室內,且渦旋噴管的出氣端設有渦旋噴嘴(405),所述渦旋噴嘴位于氣化室底部開口正下方且噴氣方向向上;
所述冷卻單元包括:冷卻室殼體(501)、螺旋噴嘴(502)和下冷媒夾套(503);
冷卻室殼體的頂部中央設有開口,所述螺旋噴嘴設于開口處且通過連接法蘭(504)與反應單元的出料管連接,螺旋噴嘴方向向下;冷卻室殼體上設有氮氣進口(505),冷卻室殼體的底部呈口徑遞減的錐形,錐形底部中央為氣粉出口(506);所述下冷媒夾套設于冷卻室殼體的外側。
2.如權利要求1所述的納米氮化鋁粉體合成裝置,其特征在于:所述外殼上設有氬氣入口(101)。
聲明:
“基于鋁氣化反應的納米氮化鋁粉體合成裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)