權利要求書： 1.一種異質結太陽能電池，其特征在于：它包括由向光面至背光面依次疊設的第一電極、第一導電膜層、P型微晶疊層、本征膜層、半導體基板、隧穿氧化層、N型半導體膜層、第二導電膜層以及第二電極；所述P型微晶疊層包含一層以上的含氧型微晶層和一層以上的非含氧型微晶層。
2.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述半導體基板為單晶硅片，所述半導體基板向光面設有金字塔絨面，所述半導體基板背光面為化學拋光面。
3.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述本征膜層為氫化本征非晶硅層，厚度為3?12nm；所述P型半導體膜層的厚度為9?45nm。
4.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述N型半導體膜層為N型多晶硅層。
5.根據權利要求4所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述隧穿氧化層厚度為1?
2nm；所述N型多晶硅層的厚度為20?300nm、方阻為30?200Ω/□。
6.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述P型微晶疊層包括由向光面至背光面依次疊設的非含氧型微晶層、含氧型微晶層以及非含氧型孵育層，其對應的膜厚比例為（0.5?1.5）：1：（0.15?0.6）。
7.根據權利要求6所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述P型微晶疊層的各個膜層為逐階段提高P型摻雜氣體與硅烷的比值進行沉積形成。
8.根據權利要求1所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述第一導電膜層和/或第二導電膜層為透明導電膜層；所述透明導電膜層為氧化銦錫、摻鎢的氧化銦、摻鎵摻鋅氧化銦、摻鋁氧化鋅、摻鋅氧化銦、摻鎵氧化鋅、摻鈦氧化銦的一種膜層或兩種以上膜層組合。
9.根據權利要求8所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述第一導電膜層的厚度為
60?110nm；所述第二導電膜層的厚度為15?50nm。
10.根據權利要求1?9任意一項所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述N型半導體膜層和第二導電膜層之間設有高摻雜晶化硅膜層。
11.根據權利要求10所述的異質結太陽能電池，其特征在于：所述高摻雜晶化硅膜層的
19 20 ?3
厚度為0.3 3nm，其摻雜濃度為1×10 ?2×10 cm 。
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說明書： 異質結太陽能電池技術領域[00
聲明：
“異質結太陽能電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：福建金石能源有限公司
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2025年07月23日 ~ 26日 
