權利要求書： 1.串聯太陽能電池，包括頂部太陽能電池和底部太陽能電池；所述頂部太陽能電池和所述底部太陽能電池各自具有相應的前表面和后表面；所述相應的前表面均適于在使用期間面向輻射源；所述頂部太陽能電池布置成使其后表面覆蓋所述底部太陽能電池的前表面；
所述頂部太陽能電池包括光伏吸收層，所述光伏吸收層的帶隙大于晶體硅的帶隙；
所述底部太陽能電池包括晶體硅襯底；
在所述底部太陽能電池的所述前表面上，布置有鈍化層堆棧，所述鈍化層堆棧包括薄介電質膜和多晶硅的輔助層，所述薄介電質膜與所述晶體硅襯底接合且布置在所述晶體硅襯底的前表面與所述輔助層之間。
2.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，所述輔助層包括本征多晶硅。
3.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，所述輔助層包括摻雜有第一導電類型或第二導電類型的雜質的多晶硅。
4.根據前述權利要求1?3中任一項所述的串聯太陽能電池，其中，所述輔助層對于紅外輻射是透明的。
5.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，所述薄介電質膜具有在0.5nm與5nm之間的厚度。
6.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，所述薄介電質膜是厚度在1nm與
2.5nm之間的氧化硅或氮氧化硅層。
7.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，所述多晶硅具有在5nm至500nm范圍內的厚度。
8.根據權利要求6或7所述的串聯太陽能電池，其中，所述多晶硅的摻雜水平高于1×
19 ?3
10 cm 。
9.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，所述頂部太陽能電池包括金屬有機鹵化鈣鈦礦層作為光伏吸收層。
10.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，所述頂部太陽能電池包括CdTe層作為光伏吸收層。
11.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，所述底部太陽能電池的前表面被紋理化，并且所形成的紋理的至少一些尖銳特征被圓化成或平滑成具有大于25nm至1000nm的增大的曲率半徑。
12.根據權利要求11所述的串聯太陽能電池，其中，經過紋理化處理的所述前表面包括具有中間山谷的錐形形狀，所述山谷圓化成具有選自25nm?1000nm范圍內的曲率半徑。
13.根據權利要求1所述的串聯太陽能電池，其中，
所述頂部太陽能電池包括：
薄膜光伏層結構，包括上載流子提取
聲明：
“混合串聯太陽能電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：荷蘭應用自然科學研究組織TNO
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2025年07月24日 ~ 26日 
