權利要求書： 1.一種制造太陽能電池的方法，該方法包括以下步驟：通過濕法氧化在半導體基板的表面上形成氧化硅膜；以及將所述氧化硅膜連續地暴露于570°C至700°C的范圍內的溫度，以對所述氧化硅膜進行退火以轉換為隧穿層，其中，在退火期間，所述氧化硅膜在第一時段內從低于700°C的溫度被加熱至700°C，在第二時段內保持在700°C的溫度，并且然后在第三時段內冷卻至更低的溫度，其中，所述第一時段內的加熱速率高于所述第三時段內的冷卻速率，并且其中，所述第一時段為8至12分鐘，并且所述第三時段比所述第一時段更長。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，在形成所述氧化硅膜的步驟中，所述半導體基板的表面被暴露于由液體氧化劑制成的化學溶液。
3.根據權利要求2所述的方法，其中，形成所述氧化硅膜的步驟是在60°C至90°C的范圍內的溫度下執行的。
4.根據權利要求2所述的方法，其中，所述液體氧化劑是臭氧或過氧化氫。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，形成所述氧化硅膜的溫度低于連續地暴露所述氧化硅膜的溫度。
6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述半導體基板包括單晶硅基板。
7.根據權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述氧化硅膜上形成多晶硅層。
8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述多晶硅層是通過使用低壓化學氣相沉積LPCD形成的。
9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述多晶硅層是通過在等于或高于600°C的沉積溫度下使用所述LPCD形成的。
10.根據權利要求7所述的方法，其中，形成所述多晶硅層的步驟包括以下步驟：形成非晶硅層；以及
對所述非晶硅層進行退火，以形成所述多晶硅層。
11.根據權利要求7所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述多晶硅層上形成鈍化膜；以及
形成通過穿透所述鈍化膜而連接到所述多晶硅層的電極。
12.根據權利要求11所述的方法，該方法還包括以下步驟：在所述半導體基板的另一表面處形成摻雜區域。
13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述摻雜區域是通過將摻雜劑擴散到所述半導體基板中而形成的。
14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述多晶硅層的導電類型與所述半導體基板的導電類型相同，并且其中，所述摻雜區域的導電類型與所述半導體基板的導電類型相反。
說明書：
聲明：
“制造太陽能電池的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：上饒市晶科綠能科技發展有限公司
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2025年07月24日 ~ 26日 
