權利要求書： 1.一種叉指背接觸太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步驟：(1)準備硅基體并進行雙面拋光；
(2)在拋光后的所述硅基體的背面進行開窗，形成第一凹槽及未開窗凸面區，使所述硅基體的背面形成凹凸交替排列的錯落結構；
(3)在拋光后的所述硅基體的正面進行制絨，形成制絨結構；
(4)在所述制絨結構及所述錯落結構上均進行硼擴，分別形成正面BSG層及背面BSG層；
(5)對所述正面BSG層及所述背面BSG層進行修飾減薄，形成正面減薄BSG層及背面減薄BSG層；
(6)在所述正面減薄BSG層及所述背面減薄BSG層上制備鈍化膜，得到正面鈍化層及背面鈍化層；
(7)在所述背面鈍化層上的第一凹槽或未開窗凸面區的對應位置再次開窗，形成第二凹槽，暴露出所述背面減薄BSG層；再通過所述第二凹槽中的所述背面減薄BSG層進行磷擴；
(8)通過絲網印刷，在所述第二凹槽中形成負電極，使所述負電極與所述磷擴形成的摻雜區域產生歐姆接觸；并制作正電極，使所述正電極穿過所述背面鈍化層與所述硼擴形成的摻雜區域產生歐姆接觸，得到叉指背接觸太陽能電池；
其中，步驟(2)與步驟(3)不分先后順序。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，步驟(1)所述雙面拋光包括先進行粗拋，清洗后再進行堿拋；
優選地，步驟(1)所述硅基體包括N型和/或P型硅片；
優選地，所述粗拋使用的粗拋水溶液包括NaOH和/或KOH；
優選地，所述粗拋水溶液中NaOH和/或KOH與水的體積配比為(2～10):(300～380)；
優選地，所述粗拋的溫度為69～79℃，時間為100～180s；
優選地，所述堿拋使用的堿拋水溶液包括NaOH和/或KOH以及堿拋添加劑；
優選地，所述堿拋水溶液中NaOH和/或KOH、堿拋添加劑及水的體積配比為(6～10):(4～6):(335～340)；
優選地，所述堿拋的溫度為65～80℃，時間為200～300s。
3.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，步驟(2)及步驟(7)所述開窗的方法包括激光開窗和/或掩膜腐蝕；
優選地，步驟(2)所述第一凹槽的深度為5～20μm，寬度為60～900μm；
優選地，步驟(2)所述未開窗凸面區的寬度為600～1500μm；
優選地，步驟(
聲明：
“叉指背接觸太陽能電池的制作方法及制得的叉指背接觸太陽能電池” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：橫店集團東磁股份有限公司
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2025年07月24日 ~ 26日 
