輕稀土氧化物CeO2具有獨特的電學、光學和磁學特性，在諸多領域得到了廣泛的應用[1~5]
納米CeO2光催化材料有比表面積大、表面晶格缺陷密度高、光吸收閾值大、氧化還原能力和儲放氧能力以及氧空位擴散能力強等優點，但是納米CeO2顆粒有易團聚、難分散、帶隙寬和光生載流子易復合等不足[4, 5]
Iqbal等[6]用水熱法在深共晶溶劑中制備出高比表面積和高活性位點的單分散CeO2納米粒子，對氟甲喹的光催化降解能力明顯優于常規CeO2粒子(94 % vs 73 %)
摻雜改性處理有助于降低CeO2的氧空位形成能和禁帶寬度、提高氧空位濃度和光生電子空穴對分離效率，是提高CeO2材料光催化活性的方法之一
Janik等[7]基于密度泛函理論(DFT)研究了第4~6周期d區過渡元素對CeO2(111)晶面的摻雜效應，發現摻雜Pd、Mn和Pt可將(111)暴露面的氧空位形成能降低到0.71、0.68和0.47 eV
陳美娜等[8]用DFT+U計算方法分析了Sm3+和Sr2+共摻雜對CeO2氧空位形成能和電解質性能的影響
Choudhury等[9, 10]發現，與純CeO2材料相比，富含氧空位和Ce3+等晶格缺陷的CeO2具有更窄的禁帶寬度(2.84 eV vs 3.15 eV)
為了進一步提高CeO2的光降解能力，有人合成了核殼結構CeO2基復合光催化劑
Samai等[11]用兩步法制備了聚苯胺(PANI)導電聚合物內核負載CeO2納米粒子的復合光催化材料，處理2 h使羅丹明B的降解率達到91%
其原因是，PANI與CeO2的協同作用降低了光生電子空穴對的復合
Phanichphant等[12]基于St?ber法先制得無孔SiO2微球(100~120 nm)，再用均相沉淀法在SiO2表面包覆CeO2納米粒子(5~7 nm)，制備出近單層包覆的核殼型光催化復合顆粒
結果表明，SiO2內核可抑制CeO2粒子團聚且具有較強的吸附能力，使這種二元復合材料具有較高的光催化降解羅丹明B能力
Fang等[13]肯定了SiO2內核在光降解過程中的吸附和傳質作用，有助于提高SiO2/CeO2復合材料對亞甲基藍的光催化處理能力
為了進一步研究氧化鈰-氧化硅雙相光催化材料，本文制備并表征以具有蠕蟲狀孔道的介孔氧化硅(W-mSiO2)為支撐體、表面負載CeO2活性納米粒子的核殼結構W-mSiO
聲明：
“介孔氧化硅/氧化鈰核殼雙相復合顆粒的制備及其光催化降解活性” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：穆兆宇,蔡文杰,陳悅,潘潔,陳楊
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2025年07月24日 ~ 26日 
