隨著通信技術的發展，電磁污染逐漸加重
電磁污染不僅威脅電子設備的工作，且危害人類的身體健康
因此，開發微波吸收能力強、工作頻段寬、低密度和低成本的吸波材料迫在眉睫
典型的二維材料MoS2禁帶寬度大，電導率低，較小的復介電常數實部有利于提高材料的阻抗匹配特性，可用作吸波材料的載體[1~4]
但是MoS2沒有磁損耗性能，為提高其電磁損耗性能可將其與磁損耗材料復合[5~7]
Luo等[8]用水熱法制備了一種多孔ZnO微球負載MoS2的復合材料，其厚度為2.5 mm時在11.84 GHz處的反射損耗最小可達-35.8 dB
He 等[9]用刻蝕法合成Ti3C2 MXene二維介電材料，并使用溶劑熱法制備出CoFe2O4納米粒子修飾的Ti3C2 MXene復合材料
這種材料在匹配厚度為1.5 mm時，最小反射損耗可達-30.9 dB
盡管磁性金屬具有高飽和磁化強度，但是Snoek極限使其磁導率在高頻迅速下降，導致二元介電-磁損耗復合材料在高頻段電磁的損耗能力基地
一些研究人員試圖引入更大各向異性的磁損耗材料突破Snoek極限[10]，但是制備高各向異性的磁性納米顆粒的水霧法[11]、高能球磨法[12]的復雜工藝限制了這類材料的應用
通過熱處理將CoFe2O4還原為CoFe并將其應用于催化[13, 14]和吸波[15, 16]領域，已有文獻報道
Li等[15]在富碳環境下用熱處理工藝制備C@CoFe納米顆粒并將其與石墨烯混合制備出C@CoFe/rGO吸波泡沫，這種材料具有良好的抗壓性能和阻燃性且其最大反射損耗可達-46.2 dB
這表明，在富碳環境下使用CoFe2O4為前驅體可制備具有優異的電磁損耗性能的CoFe/C復合材料
本文先用一鍋法水熱合成花狀MoS2/CoFe2O4納米復合材料，然后使用葡萄糖作為碳源和還原劑在氮氣氣氛下合成花狀MoS2/CoFe/C納米復合吸波材料，研究復雜富碳體系下碳源濃度對MoS2/CoFe/C復合材料吸波性能的影響
1 實驗方法1.1 樣品的制備
(1)將2.0 g CS(NH2)2、1 mL HCl和1.0 g Na2MoO4·2H2O均勻分散在140 mL去離子水中，超聲處理5 min后裝入200 mL的水熱釜中，在200℃反應20 h后自然冷卻至室溫，然后離心分離出沉淀物并充分清洗，置于真空干燥箱干燥后得到MoS2粉體
(2)
聲明：
“MoS2/CoFe/C復合材料的制備和吸波性能” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：張遠,冀志江,解帥,王靜,司甜甜
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2025年07月23日 ~ 26日 
