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    濺射沉積富鎂Mg3Bi2薄膜的熱電性能

    394   編輯:中冶有色網   來源:宋貴宏,李秀宇,李貴鵬,杜昊,胡方  
    2024-04-10 13:40:30
    熱電材料,是一種將電能與熱能相互轉換的功能材料 熱電器件可用于發電或制冷,有無污染、無噪音、體積小、重量輕、使用壽命長和易控制等優點,在航天、微電子、醫療、廢熱發電和半導體制冷等領域有潛在的應用價值 熱電材料的轉換效率取決于材料的熱電優值ZT(ZT=S2T/ρκ)或功率因子PF(PF=S2/ρ),其中S、T、ρ和κ分別是材料的塞貝克(Seebeck)系數、工作溫度、電阻率和熱導率 增大材料的Seebeck系數絕對值,減小電阻率和熱導率,可提高其熱電優值 但是,熱電材料的這三個參數相互關聯,Seebeck系數絕對值增大對應的電阻率也增加;電阻率減小,熱導率增大[1~3] 這限制了用傳統的方法提高材料的優值或功率因子 Zintl相化合物具有“電子晶體-聲子玻璃”的復雜晶體結構,即具有晶體的高電導率和玻璃的低熱導率特征;其“電子晶體”和“聲子玻璃”的功能區相互獨立,在不影響電子傳輸情況下可降低材料的熱導率,即具有獨立的導電網絡和導熱網絡 這種晶體結構使高導電性和低導熱性統一,具有優異的熱電性能[4~7] 在這類Zintl相化合物中,Mg3X2(X=Bi,Sb)材料因其熱電性能優異且組成元素豐富、廉價而備受關注[8~11] 目前化學燃料釋放的廢熱大部分溫度較低,尤其是中低溫廢熱(300 K~800 K)較多[12] 利用這些流失熱能不僅能提高能源的利用率,也減少了環境污染 半金屬Mg3Bi2的帶隙是負值,調制帶隙可使其成為一種理想的低溫熱電材料 但是,半金屬Mg3Bi2的電阻率較小,其Seebeck系數也較小[13] Mg3Bi2一般作為Mg3Sb2的摻雜劑,用Bi部分取代Sb可降低熱導率進而提高其熱電性能[14,15] Ponnambalam等[13]研究了p型Mg3Bi2的熱電性能,其載流子濃度可達2.3×1020 cm3 但是作為半金屬材料其載流子濃度高,在300 K~500 K平均Seebeck系數值僅約為50 μV/K,且熱導率很高(3.5 W·m-1·K-1),其ZT平均值只有約0.06,不能用于實際應用 Mao等[11]加入過量的Mg制備出n型Mg3.2Bi2化合物 但是Mg的蒸氣壓較高,在真空鍍膜過程中容易揮發而不易控制鎂化物的Mg含量[16-17] 本文用高真空磁控濺射技術沉積薄膜,在Mg3Bi2化合物靶材系統中加一個純金屬Mg靶材進行順序沉積
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