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    水熱法CdS納米線的制備與表征

    1303   編輯：中冶有色網   來源：李燕玲, 黃 燁, 劉小英, 張 弘, 何聰穎, 張 弘, 張 粵, 田春鎖, 黃 國現, 張 粵, 劉林生*  
    2024-05-06 14:20:56
    水熱法CdS納米線的制備與表征 轉載于漢斯學術交流平臺，如有侵權，請聯系我們 水熱法CdS納米線的制備與表征 內容總結： 通常方法制備的硫化鎘(CdS)是一種n型半導體材料 [1]，300 K時體相CdS的帶隙為2.42 eV，可見光可將其激發，且光吸收系數較大。高純的CdS是性能良好的半導體材料，已經被廣泛的應用于光電探測器 [2]、光敏電阻 [3]、光催化降解 [4]、光解水產氫 [5] 等，且在環境治理和能量轉換等領域具有廣闊的應用前景。 內容： 1. 引言 通常方法制備的硫化鎘(CdS)是一種n型半導體材料 [1]，300 K時體相CdS的帶隙為2.42 eV，可見光可將其激發，且光吸收系數較大 高純的CdS是性能良好的半導體材料，已經被廣泛的應用于光電探測器 [2]、光敏電阻 [3]、光催化降解 [4]、光解水產氫 [5] 等，且在環境治理和能量轉換等領域具有廣闊的應用前景 CdS常用的制備方法有化學氣相沉積法、水熱法、模板法、導向生長法等 本文所制備的CdS納米線采用的是水熱法 水熱合成法具有許多優點，例如反應設備簡單，反應安全，可對樣品的形貌進行控制，且所合成樣品分散性良好，合成溫度較低，其條件溫和，且體系穩定；所合成的納米材料團聚較少，且可通過調節反應物組分、反應時間等控制其形貌；通過水熱法還可以有效地防止產物氧化；無需進行高溫煅燒，可以有效地避免雜質混入等 劉瑤 [6] 等人通過水熱法制備了CdS納米線，并探究了不同水熱時間、溫度及硫源濃度對CdS納米線尺寸的影響 研究中，他們分別制備了反應時間0.5 h、1.0 h、2.0 h、3.0 h的CdS納米線作為對比，從結果可以看出隨著反應時間的增長CdS納米線的長度也隨之增加 JiWu [7] 等人以氯化鎘和氨基硫脲為反應材料，乙二胺為溶劑，通過溶劑熱法合成了CdS納米晶須，用氨基硫脲所制得的CdS納米晶須直徑為60 nm，長達12 μm 研究結果表明，與以硫粉、硫代乙酰胺及硫脲等作為硫源相比，以氨基硫脲作為硫源，能夠合成直徑均勻、長度較長、結晶性更好的CdS納米晶須，由結果可以看出氨基硫脲在CdS納米晶須的制備中發揮重要作用 聶秋林 [8] 等人以乙二胺、甲胺、吡啶、氨絡合試劑作為反應物模板，CdCl2?2.5H2O、(NH4)2S為反應物，通過水熱法制備CdS納米材料
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    “水熱法CdS納米線的制備與表征” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
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