權利要求
1.一種空間用多結太陽電池的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1.在GaAs襯底上生長多結太陽電池的外延片,依次包括腐蝕截止層、子電池結構與隧穿結、歐姆接觸層;
S2.在外延片表面使用PECVD技術依次沉積氮化硅犧牲層與二氧化硅層;
S3.利用臨時鍵合技術,將外延片與藍寶石臨時襯底鍵合在一起,然后去除GaAs襯底和腐蝕截止層,進行外延片的第一次翻轉;
S4.在外延片上制作ODR反射層;
S5.利用金屬鍵合技術,將外延片與Si襯底鍵合在一起,并且去除藍寶石臨時襯底,實現外延片的第二次翻轉;
S6.在翻轉后的外延片上進行芯片工藝制作。
2.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法,其特征在于,S1中,所述腐蝕截止層的材料為InGaP或AlInP;所述子電池結構為二結或單結,二結生長的順序是GaAs、InGaP,單結為GaAs或InGaP;所述隧穿結為GaAs/AlGaAs或GaAs/GaInP;所述子電池整體厚度為1μm-2μm;所述歐姆接觸層的材料為GaAs。
3.根據權利要求2所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法,其特征在于,所述子電池結構包括背反射層、基區、發射區、PN結、窗口層;GaAs子電池窗口層的材料為AlGaAs或InGaP,InGaP子電池窗口層的材料為AlInP。
4.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法,其特征在于,S2中,所述氮化硅犧牲層的厚度不低于0.5μm,二氧化硅層的厚度不低于2μm。
5.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法,其特征在于,S3中,鍵合條件為:真空度低于5E-01Pa,壓力15000kgf,溫度375℃,鍵合時間為45min;去除GaAs襯底的腐蝕溶液的化學成分為NH4OH、H2O2、H2O體積比例為1:1:5或1:5:5的混合液;去除腐蝕截止層的溶液為鹽酸溶液。
6.根據權利要求1所述的一種空間用多結太陽電池的制備方法,其特征在于,S4中,ODR反射層的制作方法包括以下步驟:首先,采用電子束蒸發技術或PECVD技術在外延片表面沉積介質膜;然后,通過光刻技術,在介質膜上制作圖形,采用化學溶液腐蝕或干
聲明:
“空間用多結太陽電池及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)