權利要求
1.一種氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，包括：
將氧化鎵籽晶切割為長方體，并將長方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶;
將所述第一氧化鎵籽晶依次進行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶;
在進行引晶時，將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，之后依次進行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶。
2.如權利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述楔形的下端面的面積與上端面的面積的比值范圍為30%到80%;楔形的兩個斜面與上端面夾角的范圍為20°到60°。
3.如權利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，包括：
將所述第二氧化鎵籽晶的下部下降至與熔體接觸，并回熔第一預設長度。
4.如權利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將所述第一氧化鎵籽晶依次進行退火和表面處理，得到第二氧化鎵籽晶，包括：
將所述第一氧化鎵籽晶平放于藍寶石片的上方，將所述藍寶石片和所述第一氧化鎵籽晶整體放入退火爐中進行退火;
將退火完成的第一氧化鎵籽晶放置于酸性溶液或者堿性溶液中進行表面腐蝕，得到所述第二氧化鎵籽晶。
5.如權利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述退火爐中的退火氣氛為氬氣、氮氣或其他惰性氣體，退火溫度為1200℃到1600℃，退火時間為0.5h到5h。
6.如權利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述酸性溶液的質量濃度為20%到80%，酸性溶液為磷酸溶液、硫酸溶液或者王水。
7.如權利要求4所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述堿性溶液的質量濃度為20%到80%，酸性溶液為氫氧化鈉或者氫氧化鉀。
8.如權利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述長方體氧化鎵籽晶每個面的表面粗糙度小于等于1nm。
9.如權利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述依次進行提拉、放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到氧化鎵單晶，包括：
在提拉工序時，保持恒溫條件，使生長的氧化鎵不縮不擴達到第二預設長度后停止提拉工序;
之后依次進行放肩、等徑、收尾和降溫工序，得到所述氧化鎵單晶。
10.如權利要求1所述的氧化鎵單晶制備方法，其特征在于，所述將氧化鎵籽晶切割為長方體，并將長方體氧化鎵籽晶的底部加工為楔形，得到第一氧化鎵籽晶，包括：
聲明：
“氧化鎵單晶制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：中國電子科技集團公司第四十六研究所
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2025年07月24日 ~ 26日 
