權利要求
1.耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述制備方法包括以下步驟： 1）將羥基取代的苯硫酚鍵合到含鈦納米材料上，得到改性含鈦納米材料，所述含鈦納米材料為選自二氧化鈦納米管、二氧化鈦納米顆粒、鈦酸鋇納米顆?；蜮佀徙~鈣納米顆粒中的一種或多種的組合； 2）通過光還原工藝在所述改性含鈦納米材料上生成貴金屬納米顆粒，得到貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料，其中，所述貴金屬納米顆粒通過羥基取代的苯硫酚與所述含鈦納米材料化學連接； 3）將所述貴金屬納米顆粒修飾后的含鈦納米材料加入到二酐前驅體和二胺前驅體中進行原位聚合，得到聚酰亞胺前驅體復合材料； 4）采用流延法將所述聚酰亞胺前驅體復合材料制備成聚酰亞胺前驅體薄膜，再進一步使所述聚酰亞胺前驅體薄膜亞胺化，得到聚酰亞胺薄膜。
2.根據權利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述羥基取代的苯硫酚為選自2-羥基苯硫酚、3-羥基苯硫酚或4-羥基苯硫酚中的一種或多種的組合；和/或，所述羥基取代的苯硫酚與所述含鈦納米材料的投料質量比為1-3:100。
3.根據權利要求1或2所述的耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法，其特征在于：步驟1）中，將羥基取代的苯硫酚鍵合到含鈦納米材料上的方法為：將所述含鈦納米材料、羥基取代的苯硫酚與水混合，然后將混合物放入充有氬氣保護的高壓容器中、在 60~80 ℃下進行加熱處理。
4.根據權利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述貴金屬納米顆粒選自Au、Ag或Pt納米顆粒；和/或，所述貴金屬納米顆粒的粒徑為10-60nm。
5.根據權利要求1或4所述的耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟2）中，所述光還原工藝包括：首先，將氯金酸溶液、硝酸銀溶液或氯鉑酸溶液與所述改性含鈦納米材料在充有氬氣保護的高壓容器中、在50-70℃下加熱處理得到混合物，其中，所述氯金酸溶液、硝酸銀溶液或氯鉑酸溶液的濃度為2-15mg/L；其次，將前述得到的混合物置于200-400W的氙燈紫外光下照射2-6小時。
6.根據權利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法，其特征在于：所述二氧化鈦納米管的直徑為15-55nm，長度為200-500n
聲明：
“耐電暈聚酰亞胺復合薄膜的制備方法及復合薄膜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：蘇州太湖電工新材料股份有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
