權利要求
1.納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法,其特征在于該方法按以下步驟進行: 一、按質量百分比稱取0.5%~5%的納米陶瓷顆粒與95%~99.5%的高溫合金粉末,通過高能球磨,得到初混粉末;其中所述的納米陶瓷顆粒的粒度為1~150nm; 二、將初混粉末放入送粉器后,以0.5~2.5kg/h的送粉速率輸送到等離子體球化處理設備內,在功率為15~50kW的等離子體束中進行燒結球化處理,形成球形微粉; 三、將球形微粉收集、篩分,得到納米陶瓷增強高溫合金球形微粉。
2.根據權利要求1所述的納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法,其特征在于步驟一所述的納米陶瓷顆粒為TiC、WC、SiC、Al 2O 3和Y 2O 3中的一種或幾種的組合納米陶瓷顆粒。
3.根據權利要求1或2所述的納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法,其特征在于步驟一所述的納米陶瓷顆粒的粒度為15~50nm。
4.根據權利要求1或2所述的納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法,其特征在于步驟一所述的高溫合金粉末為鎳基高溫合金粉末。
5.根據權利要求4所述的一種納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法,其特征在于步驟一所述的鎳基高溫合金為GH1015、GH1035、GH1040、GH1131、GH1140、GH2018、GH2036、GH2038、GH2130、GH2132、GH2135、GH2136、GH2302、GH2696、GH3030、GH3039、GH3044、GH3028、GH3128、GH3536、GH605,GH600、GH4033、GH4037、GH4043、GH4049、GH4133、GH4133B、GH4169、GH4145或GH4090。
6.根據權利要求1或2所述的納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法,其特征在于步驟一所述的高溫合金粉末的粒度為10~120μm。
7.根據權利要求1或2所述的納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法,其特征在于步驟一所述的高溫合金粉末的粒度為20~60μm。
8.根據權利要求1或2所述的納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法,其特征在于步驟一所述的高能球磨為干法
聲明:
“納米陶瓷增強高溫合金球形微粉的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)