權利要求
1.半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：
在襯底上外延生長外延材料層；
在所述外延材料層的至少部分區域形成導電區；
在所述外延材料層遠離所述襯底的一側制備柵極、源極和漏極；
在所述襯底遠離所述外延材料層的一側刻蝕形成通孔，所述外延材料層為刻蝕停止層；
在所述襯底遠離所述外延材料層的一側形成背金層，所述背金層延伸至所述通孔內，并通過所述導電區內的外延材料層與所述源極電學連接。
2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述外延材料層的至少部分區域形成導電區的步驟，包括：
在所述外延材料層的至少部分區域進行離子注入，以形成第一注入區；
將所述第一注入區激活，以形成所述導電區。
3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在襯底上外延生長外延材料層的步驟，包括：
在所述襯底上依次沉積成核層、第一外延層、第二外延層和帽層；
在所述外延材料層的至少部分區域進行離子注入的步驟，包括：
在至少部分區域內的所述成核層和所述第一外延層進行離子注入。
4.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述導電區位于所述通孔上方，且所述導電區的形狀與所述通孔的截面形狀相適配。
5.根據權利要求4所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述外延材料層的至少部分區域形成導電區的步驟之后，所述制備方法還包括：
在所述導電區周圍形成絕緣區。
6.根據權利要求5所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，在所述導電區周圍形成絕緣區的步驟包括：
在所述導電區周圍進行離子注入，以形成所述絕緣區。
7.半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：
襯底；
設置在所述襯底一側的外延材料層；
設置在所述外延材料層遠離所述襯底一側的源極、漏極和柵極；
以及，設置在所述襯底遠離所述外延材料層一側的背金層；
其中，所述外延材料層的至少部分區域形成有導電區，所述襯底遠離所述外延材料層的一側形成有通孔，所述背金層延伸至所述通孔內，并通過所述導電區內的外延材料層與所述源極電學連接。
8.根據權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述導電區位于所述通孔上方，且所述導電區的形狀與所述通孔的截面形狀相適配。
9.根據權
聲明：
“半導體器件的制備方法和半導體器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
1929
編輯：中冶有色網
來源：深圳市時代速信科技有限公司
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2025年07月24日 ~ 26日 
