權利要求
1.燒結釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
S1:磁體預處理:采用激光清洗方法對燒結釹鐵硼磁體進行表面預處理,并用惰性氣體及時將污物吹離磁體表面;
S2:真空蒸鍍Al薄膜的制備:在真空蒸鍍裝置中,通過采用真空蒸鍍工藝在預處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜;
S3:激光重熔處理:采用激光重熔技術對磁體表面沉積的Al薄膜進行改性處理,提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結合力。
2.根據權利要求1所述的燒結釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法,其特征在于:所述S1中磁體預處理,采用激光清洗方法對燒結釹鐵硼磁體表面進行預處理,以去除磁體表面的油污及氧化皮,所述激光清洗的工藝參數包括:激光功率為100~2500W,激光束波長為1064nm,脈沖寬度為50~300ns,激光掃描速度為5~150mm/s,激光入射角為20~90°;所述S1中磁體預處理,使用惰性氣體及時將激光清洗后的污物吹離磁體表面,避免清潔表面再次污染和氧化,所述惰性氣體為氬氣、氦氣中的一種。
3.根據權利要求1所述的燒結釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法,其特征在于:所述S2真空蒸鍍Al薄膜的制備,采用真空蒸鍍工藝在預處理后的磁體表面沉積一層Al薄膜,所述真空蒸鍍的工藝參數包括真空度為1×10-3~5×10-3Pa,蒸發電流為2000~2900A,真空蒸鍍時間為50~80min。
4.根據權利要求1所述的燒結釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法,其特征在于:所述S3激光重熔處理,采用激光重熔技術對磁體表面沉積的Al薄膜進行改性處理,提高Al薄膜的致密度以及與基體之間的結合力;所述激光重熔的工藝參數包括:激光功率為1000~3000W,掃描速度為5~15mm/s,光斑尺寸為2~5mm,搭接系數為5%~20%,并充入惰性氣體作為保護氣,所述惰性氣體為氬氣或氦氣中的一種。
5.根據權利要求1所述的燒結釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法,其特征在于:所述真空蒸鍍裝置包括有外殼(1)、坩堝(2)和調節夾具(3);所述外殼(1)的內部靠近外殼(1)的底面位置固連有坩堝(2),且坩堝(2)的內部用于放置蒸發材料;所述外殼(1)的內部于坩堝(2)的頂部位置設有調節夾具(3);所述調節夾具(3)包括有推桿(4)、電機(5)和轉
聲明:
“燒結釹鐵硼磁體表面Al薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)