本發明涉及電磁屏蔽材料領域,尤其涉及一種基于石墨烯/聚吡咯納米管3D插層結構的復合薄膜功能材料的制備方法。本發明基于軟模板法,利用磺酸基染料為結構導向劑,成功調控聚吡咯的導電性能和微觀形貌,得到尺寸均一的高導電性聚吡咯納米管(ppyNT)。利用氧化石墨烯(GO)自組裝特性,采用簡單高效的真空抽濾法誘導ppyNT有序插入GO納米片層間,形成獨立自支撐的GO/ppyNT復合薄膜。采用溫和、低能耗的兩步法還原GO恢復其sp2長程共軛結構,為3D插層結構的石墨烯/聚吡咯納米管復合薄膜電磁屏蔽功能材料提供了可規?;a的方法。該材料在具有高電磁屏蔽效能的同時還具有抗折疊、耐腐蝕以及耐高低溫的特性,在柔性電子設備的電磁屏蔽領域顯示出巨大的應用潛力。
聲明:
“基于石墨烯/聚吡咯納米管3D插層結構的復合薄膜功能材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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