一種通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法,包括:在襯底上依次淀積生長電熱絕緣材料層、第一功能材料層和犧牲材料層;旋涂SU-8膠并電子束曝光;干法刻蝕至電熱絕緣材料層的上表面;淀積第二功能材料層;經電子束曝光形成橫向的條形納米量級的SU-8膠條,并跨越由第一功能材料層;干法刻蝕第二功能材料層至電熱絕緣材料層的上表面;腐蝕去除犧牲材料層,暴露出第二功能材料層下方以外的第一功能材料層;干法刻蝕去除第二功能材料層下方以外的第一功能材料層;超聲-剝離,制備出第一功能材料層全限制在第二功能材料層間的水平器件結構。本發明藉由線寬控制精度高、定位精確、可拓展性好、制備簡單、可靠性高、制備良品率高、研發成本低、可移植性好、經濟高效的優點。
聲明:
“通用的多種材料間全限制量子點的自對準制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)