本發明屬于微電子器件技術領域,公開了一種超晶格鐵電憶阻器,包括自下而上依次堆疊的下電極層、功能層和上電極層,其中,所述功能層是由至少一個超晶格單元構成的超晶格功能層,每一個超晶格單元是由第一功能材料和第二功能材料自下而上依次堆疊形成;該功能層中任意一個由第一功能材料或第二功能材料形成的子功能層的厚度均滿足0.6?5nm;第一功能材料為HfO2,第二功能材料為ZrO2或Al2O3。本發明通過對器件功能層結構及組成進行改進,區別于傳統金屬摻雜HfO2基鐵電憶阻器,采用堆疊生長超晶格HfO2層和ZrO2層(或Al2O3層)作為鐵電憶阻器功能層,具有良好的鐵電性和憶阻特性。
聲明:
“基于HfO2/ZrO2或HfO2/Al2O3超晶格鐵電憶阻器及其制備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)