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    半導體結構的形成方法

    1107   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:02:31
    本發明實施例提供一種半導體結構的形成方法,所述形成方法包括:提供襯底;在所述襯底上形成柵功能結構,所述柵功能結構包括:一層柵功能層或多層柵功能層;形成所述柵功能層的步驟包括:在襯底上形成功能材料層;對所述功能材料層表面進行解復合處理,減少所述柵功能材料層表面的陷阱缺陷俘獲的帶電離子;所述解復合處理之后,對所述柵功能材料層表面進行鈍化處理,減少所述柵功能材料層表面的陷阱缺陷;在所述柵功能結構上形成柵極。所述解復合處理和鈍化處理能夠減少所形成半導體結構的低頻噪聲。
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