本發明涉及半導體材料制備技術領域,具體涉及氮化物材料的制備方法及氮化物材料,氮化物材料的制備方法,包括以下步驟:提供襯底,在襯底的表面沉積氮化物,形成氮化物薄膜;采用離子注入方法,在氮化物薄膜中形成離子注入層,離子注入層將氮化物薄膜分隔形成第一氮化物膜與第二氮化物膜,第一氮化物膜附著于襯底上,第二氮化物膜遠離襯底;在第二氮化物膜的表面沉積功能材料,形成功能材料層;自離子注入層剝離第二氮化物膜與功能材料層。工藝步驟簡單,可操作性強,無需激光處理,不受功能材料的尺寸限制,利于在工業中應用。
聲明:
“氮化物材料的制備方法及氮化物材料” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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