本發明提出了制作納米孔陣列的方法、納米孔陣列和納米孔陣列傳感器,制作納米孔陣列的方法,包括:提供硅片;形成第一掩膜層,形成第二掩膜層;形成第一圖案化層;形成第二圖案化層;進行第一濕法刻蝕;進行第二濕法刻蝕;形成功能材料層;對第二刻蝕腔進行第三濕法刻蝕,以形成第三刻蝕腔,暴露位于錐尖的功能材料層;對位于錐尖的功能材料層進行第四刻蝕,以形成多個納米孔,得到納米孔陣列。由此,可通過簡便的方法制備具有孔徑均一、制備流程簡便、可重復性高等優點的納米孔陣列結構。
聲明:
“制作納米孔陣列的方法、納米孔陣列和納米孔陣列傳感器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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