提供一種方法,用于將至少部分閥金屬層轉變為包括多個間隔(納米)通道的模板。所述方法包括:第一陽極化步驟,由此,形成包括多個(納米)通道的閥金屬氧化物多孔層;保護處理,由此將疏水性表面引入(納米)通道壁和(納米)通道底部;保護處理后的第二陽極化步驟;以及蝕刻步驟。提供一種方法用于在模板的(納米)通道內形成多個間隔結構。這些方法可以涉及在導電基材上形成功能材料層和/或制備固態電池組電池和電池組。
聲明:
“閥金屬層轉變為包括多個間隔(納米)通道并在其中形成間隔結構的模板” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)