鈦酸鍶單晶基片上外延生長氧化鎂納米線的方法,涉及微電子材料領域,特別涉及應用于氧化物(氧化鎂)-復合氧化物(鈦酸鍶)異質外延中納米線及其表面周期結構的制備方法。本發明提供的方法制備得到的材料具有優越的電學、光學、力學和熱學性質。本發明的方法為:在真空環境下,對鈦酸鍶單晶基片進行熱處理然后以激光剝離氧化鎂陶瓷靶材,產生的激光等離子體沉積在鈦酸鍶單晶基片上,制得氧化鎂薄膜;同時監控沉積過程,在鈦酸鍶基片上形成有序表面周期結構的氧化鎂納米線后,停止沉積。本發明制得的具有序表面周期結構的氧化鎂納米線,將使氧化鎂這種功能材料在納米尺度的范圍內體現出有別于塊材的特殊光、電、磁、化性質。
聲明:
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