本發明提供的一種應用于乙醇傳感器的VSe2單晶薄膜的制備方法,屬于功能材料制備技術領域。首先將V和Se粉體放置于石英管底部,將石英管抽真空并進行封管;然后將封裝好的石英管豎直放入立式爐中,通過設定立式爐的升降溫及保溫程序,精確控制爐內溫度以滿足晶體的加熱、長晶過程,V和Se粉體在溫度與重力場的協同作用下,變成蒸汽并在臺階處的基片上生長得到VSe2單晶薄膜。本發明方法中,晶體的生長是在真空石英管中完成的,不涉及氣體的通入及廢氣的處理過程;且方法簡單,成本低廉,得到的單晶薄膜純度高,品質好,可作為高純度本征單晶半導體材料,應用于乙醇傳感器等氣體傳感器中。
聲明:
“應用于乙醇傳感器的VSe2單晶薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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