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    大尺寸CuI晶體的生長方法

    950   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:03:02
    本發明提供了一種CuI晶體的生長方法,屬于光電功能材料技術中的晶體生長領域。該方法采用低溫水溶液降溫法生長晶體,使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等為助溶劑,銅片作為還原劑,石蠟油封,生長溫區30-60℃,降溫速率為0.1-0.5℃/day。本發明采用的降溫法晶體生長技術具有生長溫度低、溶液黏度低、裝置簡單易行、生長過程可以直接觀察等優點,所生長的CuI晶體純度高、均勻性好、尺寸大,因此作為新一代的超快閃爍晶體,有望在未來超高計數率電子、γ射線和X射線測量中發揮重要作用,同時還作為一種半導體材料用作太陽能電池材料、超導材料和光催化材料。
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