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稀土摻雜SN-TE基稀磁半導體高致密度塊體材料的制備方法

883 編輯：管理員來源：中冶有色網

2023-03-18 15:04:01

一種制備稀土摻雜SN-TE基高致密度塊體稀磁半導體材料的方法,采用的原料組分及用量(重量份)為:稀土元素1～10,金屬SN 40～47,金屬TE 50～52,按所述原料組分及用量制備所述稀磁半導體材料的方法是:依據稀土-SN-TE三元合金相圖,計算出要制備的稀磁半導體材料的原料配比,然后將所述原料混合均勻;將混勻料真空封裝進石英管中,放進高溫箱式電阻爐中于500～600℃保溫1～3個小時,再用高頻爐熔煉,然后把熔煉好的材料研磨成粉末,經高溫燒結即得高致密塊體稀磁半導體材料。采用本發明制備得的稀磁半導體材料晶粒均勻、純度高,可用于制作各種功能材料以及功能薄膜的靶材,便于工業化生產。

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“稀土摻雜SN-TE基稀磁半導體高致密度塊體材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發明人(作者)