本發明屬于電子功能材料領域,具體涉及一種在硅基片上生長(100)擇優取向鈦酸鉍鈉基薄膜的方法。該系列薄膜的化學通式為Na0.5Bi0.5Ti1-yXyO3-δ,其中X為摻雜元素;y為摻雜元素的摻雜量;δ是為了維持電荷平衡所失去的氧原子的數目。本發明采用優化的化學溶液沉積制備技術,在硅基片上,制備了具有(100)擇優取向的鈦酸鉍鈉基薄膜。本發明整個制備工藝過程簡單、易控,成本低廉,且制備出的薄膜晶相單一,擇優取向度高。
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