本發明揭示了一種高深寬比高保形納米級正型結構的制備方法,本發明用旋涂的方法在提供的襯底上旋涂一層正性光刻膠聚甲基丙烯酸甲酯,并置于熱板上前烘;利用電子束曝光技術對樣品進行曝光顯影得到預期的聚甲基丙烯酸甲酯微納結構;利用磁控濺射鍍膜沉積技術在樣品上共形沉積一層功能材料薄膜;利用旋涂的方式在濺射處理后的樣品上旋涂一層平坦化層氫倍半硅氧烷;然后把樣品置于熱板上低溫烘烤以去除平坦化材料中的溶劑;再對樣品用斜角離子束拋光設備以角度小于90°的夾角進行拋光處理直到除去聚甲基丙烯酸甲酯上表面所有金屬為止;最后用氧等離子對樣品進行處理以達到去除聚甲基丙烯酸甲酯并進行無應力釋放最終的高深寬比高保形納米級正型結構。
聲明:
“高深寬比高保形納米級正型結構的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)