本發明涉及一種高介電常數低介電損耗的聚偏氟乙烯基復合薄膜。近年來,高介電常數和低介電損耗的介電功能材料由于其在電子行業和能源儲存方面的廣泛應用而得到了巨大的關注。一種高介電常數低介電損耗的聚偏氟乙烯基復合薄膜,其組成包括:純聚偏氟乙烯層(1)、摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層(2),其特征是:所述的純聚偏氟乙烯層和所述的摻雜氧化鋅的聚偏氟乙烯層垂直于鋪膜方向間隔鋪層布置。本發明應用于高介電常數低介電損耗的聚偏氟乙烯基復合薄膜。
聲明:
“高介電常數低介電損耗聚偏氟乙烯基復合薄膜及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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