本發明屬于Bi2O2Se二維功能材料的生長工藝技術領域,具體涉及一種實現Bi2O2Se微米梯臺的化學氣相沉積的制備方法,本發發明突破了現在基底及制備工藝生長Bi2O2Se的局限性,選用具有較大晶格差異的(0001)取向Al2O3基片作為襯底,綜合控制氣體流速、前驅物?基片的間距、沉積氣壓、成核時間和溫度以及生長時間和溫度等參數,結合高溫擴散成核、低溫結晶生長的制備技術,實現了形狀和尺寸可控的Bi2O2Se微米梯臺的制備。該方法能夠通過綜合調控生長條件,獲得平面生長、傾斜生長的Bi2O2Se微米梯臺,橫向尺寸從幾微米到幾十微米可控。本發明具有參數控制簡便,重復性高,無毒害廢氣排放的優點。
聲明:
“實現Bi2O2Se微米梯臺的化學氣相沉積的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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