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    基于溶脹技術的量子點熒光印跡傳感器的制備方法

    1426   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:06:02
    本發明提供一種基于溶脹技術的量子點熒光印跡傳感器的制備方法,屬環境功能材料制備技術領域。本發明首先按常規方法合成CdTe量子點;然后利用無皂乳液聚合方法,將苯乙烯、丙烯酸、二乙烯基苯和過硫酸鉀加入到水中,加熱反應過夜,得到聚苯乙烯(PS)微球;利用可聚合型表面活性劑OVDAC將CdTe量子點轉相到氯仿相中,得到OVDAC修飾的CdTe量子點;再利用溶脹技術合成以OVDAC修飾的CdTe量子點為熒光載體,聯苯菊酯為模板分子,聚苯乙烯微球為聚合物基質的CdTe量子點熒光分子印跡聚合物,并用于光學檢測聯苯菊酯。本發明制備的CdTe量子點熒光分子印跡聚合物具有很好的穩定性和光學性能,且具有選擇性識別聯苯菊酯的能力。
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