石墨烯復合金屬離子摻雜缺陷型半導體光催化劑制備方法,涉及光催化功能材料制備方法,本發明以三元硫化物ZnIn2S4為參照,將Ag+、鋅源、銦源、硫源和氧化態石墨烯按照一定的摩爾比在水熱條件下反應,并獲得目標光催化劑。這種新型的可見光光催化劑結構清晰,組成明確,通過Ag+的摻雜可以顯著增強ZnIn2S4的可見光光譜響應范圍,與石墨烯復合后可以使光生載流子的擴散范圍增大,抑制光生電子?空穴對的重組從而增強可見光催化活性,是一種有前途的可見光光催化材料。
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