本發明屬于電子功能材料技術領域,涉及一種低介電損耗鈦酸銅鈣薄膜的制備方法;具體步驟為:首先制備獲得CCTO前驅體溶膠;然后清洗硅片,將硅片依次浸入NaOH溶液、去離子水中和無水乙醇中,超聲振蕩,烘干、冷卻后備用;取前驅體溶膠的上層清液保溫,在密閉環境中,將清洗后的硅片于CCTO前驅體溶膠中浸漬,勻速取出,置于馬弗爐內干燥,形成一層均勻致密的CCTO薄膜,重復操作,直至鍍完5層薄膜,得到非晶化CCTO薄膜;置于無水乙醇擦拭后的坩堝中,在空氣氣氛下進行退火處理,冷卻得到CCTO薄膜;本發明方法操作簡單,原料價格低廉、環保,制備方法簡單且重復性高,介電性能優異,具有良好的應用價值。
聲明:
“低介電損耗鈦酸銅鈣薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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