本發明一種氧化亞銅半導體陶瓷材料及其制備方法,屬于功能材料技術領域。本發明提出的一種新的氧化亞銅半導體陶瓷材料配方,該配方改變以往直接采用Cu2O原料,在Cu2O基礎上添加其他金屬氧化物原料作為組成的方法。改變半導體陶瓷材料的組成配方,并選擇增加導電性金屬氧化物,降低半導體陶瓷材料的體積電阻,提高半導體陶瓷材料耐電腐蝕性和耐化學性腐蝕性,增加半導體陶瓷材料與Al2O3,ZrO2基體材料的結合強度,從而提高使用半導體陶瓷材料的使用壽命。同時,減少在制備過程中對人員和環境的威脅。
聲明:
“氧化亞銅半導體陶瓷材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)