本發明涉及新型功能材料開發技術領域,具體涉及一種無鉛壓電陶瓷性能調控的方法,該方法在傳統無鉛壓電陶瓷的基礎上通過構筑高熵陶瓷并以其為主晶相,在其與第二相(或更多相)的準同型相界處,通過調整第二相(或更多相)含量對其綜合性能進行優化。具體為:采用離子半徑差優選高熵元素制備高熵陶瓷,第二相(或更多相)的含量可選取未高熵化無鉛壓電陶瓷與其準同型相界的±0.5處,經過球磨混合均勻后在1000oC~1500oC燒結范圍內燒結2~6小時,獲得綜合性能優異的無鉛壓電陶瓷。本發明為無鉛壓電陶瓷提供了一種全新的性能調控方法,利用高熵陶瓷優異的介電性能,實現了高熵陶瓷在壓電陶瓷領域中對其綜合性能調控的應用。
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