本發明涉及一種基于晶體管和憶阻器的模擬聯想學習電路及控制方法,nMOS管、憶阻器、定值電阻進行串聯,nMOS管的漏極連接憶阻器的頂電極,憶阻器的底電極連接定值電阻的一端,定值電阻另一端接入地,反向器接在nMOS管的柵極與源極之間,示波器與定值電阻并聯,模擬食物刺激信號輸入端和模擬鈴聲刺激信號輸入端均與反相器、nMOS管連接;nMOS管柵極為控制信號輸入端;本發明通過電壓脈沖疊加來獲得憶阻器在高電阻狀態和低電阻狀態之間的轉換,并通過檢測輸出電平來確定是否發生了聯合學習;不僅模擬聯想學習實驗中的學習,記憶和退滅這三個經典過程,還模擬了條件刺激和非條件刺激之間的時間間隔對記憶時間的影響。
聲明:
“基于晶體管和憶阻器的模擬聯想學習電路及控制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)