本發明涉及一種半導體結構及其制備方法。其中,半導體結構的制備方法,包括:提供基底;在基底內形成多個間隔排布的接觸孔;在接觸孔內形成接觸材料層;在接觸材料層和基底上形成位線材料層;去除部分位線材料層和部分接觸材料層,以形成位線結構,位線結構包括剩余的位線材料層構成的位線層以及剩余的接觸材料層構成的接觸層,接觸層位于接觸孔內,位線層跨越接觸孔以及接觸孔外的基底。本發明可以有效降低位線結構的高度,從而有效防止位線結構在之后的制成過程中傾斜或倒塌。
聲明:
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