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    全無機量子點基阻變存儲器及其制備方法

    1089   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:10:02
    本發明公開了一種全無機量子點基阻變存儲器及制備方法,涉及半導體領域,包括自下而上依次設置的基板、底電極、阻變層和頂電極,其中,所述底電極與阻變層之間還設置有緩沖層。本發明通過增加鐵電材料緩沖層,使阻變存儲器的工作電壓降低至0.3V以下,存儲窗口提高到107量級以上;器件在持續工作1.4×106s后阻變性能退化小于0.01%,并且在104次快速讀取測試中顯示出良好的耐久性。所述設計大大提升了量子點阻變存儲器的阻變性能,加速了量子點基阻變存儲器的商業化進程。
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