一種有機EL元件的制造方法,所述有機EL元件具有陽極、陰極、設置于陽極與陰極之間的至少一層的有機功能層和密封層,所述有機EL元件的制造方法包括:形成陽極的工序、形成陰極的工序、形成至少一層的有機功能層的工序和形成密封層的工序,從形成至少一層的有機功能層的工序的開始時起至形成密封層的工序的結束時為止,制造中的有機EL元件所被暴露的硫氧化物的平均濃度:A(ppm)和暴露時間:B(秒)滿足式(1?1),0≤A×B<2.2…(1?1)。
聲明:
“有機EL元件的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)