本發明提供了一種制備三維懸空環柵結構半導體場效應晶體管(MOSFET)器件的方法及其產品,其包括步驟:利用微納加工技術對半導體材料進行表面處理和制備模型結構;對制備好的三維結構利用微納加工技術進行柵介質層沉積;懸空環柵電極和懸空漏電極加工;利用聚焦離子束實現三維空間的電極互聯。本發明是一種以三維結構為載體,利用各種微納加工技術制備三維懸空環柵MOSFET的新方法。該方法具有工藝靈活、可控性好、方法新穎等特點,所制備的器件具有各向同性調控源漏之間的場效應,優秀的柵極控制,具有更小的漏端寄生電容,減少漏端電場擴散,提高器件集成密度等特點。
聲明:
“三維懸空環柵結構半導體場效應晶體管器件的制備方法及其產品” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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