本發明涉及半導體制造技術領域,尤其涉及一種膜層及其沉積方法、半導體結構及其形成方法。所述膜層沉積方法包括如下步驟:提供一介質層;傳輸前驅氣體和反應氣體至所述介質層表面,形成覆蓋于所述介質層表面的膜層和副產物;除去所述副產物,推動所述前驅氣體與所述反應氣體之間的化學反應正向進行。本發明提高了生成的膜層的純度,減少了所述膜層中夾雜的副產物,改善了膜層的結構穩定性和抗摻雜能力,確保了最終生成的半導體器件結構的良率。
聲明:
“膜層及其沉積方法、半導體結構及其形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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