本發明公開一種多級SnS2納米花與C3N4量子點復合材料,涉及半導體光催化技術領域,復合材料為多級納米花形貌,尺寸分布在4~6μm,C3N4量子點的尺寸分布在3~9nm。本發明還提供復合材料的制備方法,包括以下步驟:(1)C3N4量子點的制備;(2)多級SnS2納米花的制備;(3)多級SnS2納米花與C3N4量子點復合材料的制備,本發明還提供多級SnS2納米花與C3N4量子點復合材料在有機物降解中的應用,本發明的有益效果在于:本發明制備的復合材料能夠對水體中的雙酚A和甲基橙實現良好的光催化降解,并能多次重復利用,具有循環穩定性。
聲明:
“多級SnS2納米花與C3N4量子點復合材料及其制備方法與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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